發(fā)布時(shí)間：2017-12-12 18:38

  本文關(guān)鍵詞：表面殘留顆粒對(duì)晶圓鍵合影響機(jī)制的研究

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【摘要】：著重分析了晶圓表面殘留顆粒對(duì)晶圓鍵合的影響,并從表面殘留顆粒統(tǒng)計(jì)意義的角度,得到了一個(gè)晶圓鍵合的判定標(biāo)準(zhǔn)。為了改善鍵合界面出現(xiàn)的氣泡問題,一種基于點(diǎn)壓技術(shù)的新型點(diǎn)壓鍵合法被應(yīng)用到整片鍵合中,并和傳統(tǒng)的金金熱壓鍵合法進(jìn)行了比較。實(shí)驗(yàn)表明,采用點(diǎn)壓鍵合法能夠有效抑制晶圓表面殘留顆粒對(duì)晶圓鍵合的影響。
【作者單位】： 中國(guó)科學(xué)院微電子研究所微電子器件與集成技術(shù)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室;中國(guó)科學(xué)院微電子研究所高頻高壓器件與集成研發(fā)中心;中國(guó)科學(xué)院微電子研究所智能感知研發(fā)中心;
【基金】：國(guó)家科技重大專項(xiàng)項(xiàng)目(2011ZX02708-003)
【分類號(hào)】：TN305
【正文快照】： 0引言晶圓鍵合指的是黏合各種以半導(dǎo)體材料為襯底晶圓的工藝過程。隨著近幾十年半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)持續(xù)高速的發(fā)展,晶圓鍵合技術(shù)在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域受到了越來越廣泛的關(guān)注。通常來說,晶圓鍵合作為一項(xiàng)關(guān)鍵性的技術(shù)應(yīng)用在絕緣體上硅(SOI)材料的制備、微電子機(jī)械系統(tǒng)(MEMS)結(jié)構(gòu)的3D集成以

【相似文獻(xiàn)】

中國(guó)期刊全文數(shù)據(jù)庫 前6條

1 朱學(xué)林;劉剛;田揚(yáng)超;;一種PMMA表面改性的熱壓鍵合方法研究[J];微細(xì)加工技術(shù);2005年04期

2 H.Hatfnagel;B.L.Weiss;張鐵橋;;器件制作過程在砷化鎵中產(chǎn)生的位錯(cuò)[J];半導(dǎo)體情報(bào);1975年03期

3 婁書禮;高溫工作壽命試驗(yàn)技術(shù)研究[J];固體電子學(xué)研究與進(jìn)展;1993年02期

4 劉志強(qiáng);王良臣;伊?xí)匝?郭恩卿;王國(guó)宏;李晉閩;;垂直結(jié)構(gòu)GaN基LEDs熱壓鍵合應(yīng)力損傷分析[J];半導(dǎo)體技術(shù);2009年10期

5 姚李英;張瑜;陳濤;王升啟;左鐵釧;;激光制備PMMA基PCR微流控芯片的熱壓鍵合研究[J];激光雜志;2006年01期

6 ;[J];;年期

中國(guó)碩士學(xué)位論文全文數(shù)據(jù)庫 前1條

1 王鈞;塑料芯片熱壓鍵合設(shè)備壓力系統(tǒng)研究[D];大連理工大學(xué);2004年

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本文編號(hào)：1283568