本文關(guān)鍵詞：TFT光刻DICD均一性改善優(yōu)化

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【摘要】：為了對TFT((Thin Film Transistor)光刻DICD(Develop Inspection Critical Dimension)均一性進行改善,分析了光刻DICD存在差異性的原因,并建立了改善循環(huán)流程。對循環(huán)流程改善原理及方法進行說明。首先,根據(jù)處于光刻系統(tǒng)最佳焦平面位置光刻膠吸收光強最大,DICD最小(DICD_(min))原則,提出了調(diào)整光刻平面,使其與系統(tǒng)最佳焦平面趨勢一致,可減小DICD差異性。接著,計算出各光刻區(qū)域與最佳焦平面位置處的DICD差值(DICD-DICD_(min)),并通過結(jié)合光刻區(qū)域臺板平坦度,判斷DICD-DICD_(min)各差值的正負性。然后,采用最小二乘法對光刻區(qū)域DICD-DICD_(min)進行平面方程擬合,該平面即為光刻趨勢平面,并反映了光刻平面與光刻系統(tǒng)最佳焦平面的差異。最后,以此平面方程作為光刻機臺板高度調(diào)整平面方程,并對光刻區(qū)域臺板高度進行調(diào)整,從而使得實際光刻平面趨于系統(tǒng)最佳焦平面。結(jié)果表明:該方法連續(xù)實驗3次,DICD均一性可改善30%以上。
【作者單位】： 合肥京東方光電科技有限公司;
【分類號】：TN305.7
【正文快照】： 1 引言 隨著對薄膜晶體管-液晶顯示器(TFT-LCD)分辨率要求的不斷提高,薄膜晶體管(Thin Film Transistor,以下簡稱TFT)器件的線寬和間距趨于更細、更窄[1],經(jīng)光刻工藝后形成的光刻膠線寬寬度(Develop Inspection Critical Dimension,DICD)的工藝窗口也越來越小[2],TFT DICD管

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1 李志勇，朱文輝，程經(jīng)毅，周光泉，，郭大浩;用激光沖擊波無損評估材料內(nèi)部的均一性[J];應(yīng)用激光;1996年04期

本文編號：1278157