本文關鍵詞：強激光脈沖輻照對多晶硅片導電性的影響

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【摘要】：為了減小多晶硅中晶界、位錯、微缺陷和過渡族雜質(zhì)對多晶硅太陽電池效率的不利影響,采用兆瓦級可調(diào)諧TEA CO_2高功率激光器輸出的激光脈沖對硅片進行預處理。使用10μm帶不同支線的脈寬約為200 ns紅外激光脈沖在20 mm汞柱的氫氣氛中對多晶硅片輻照不同的脈沖數(shù),制得25個樣品;去除樣品的損傷層后,用S2T-2A四探針測試儀測試了各組樣品的電阻率,發(fā)現(xiàn)所有樣品電阻率都有不同程度的降低,其中經(jīng)P18和P20支線脈沖輻照3個脈沖的樣品電阻率下降幅度最大,下降幅度最高達到50%;用高頻光電導少子壽命測試儀測試樣品的少子壽命,發(fā)現(xiàn)所有樣品少子壽命都變長,其中經(jīng)P18和P20輻照三個脈沖后的樣品少子壽命增加幅度最大,增幅最高達30%。
【作者單位】： 樂山師范學院物理與電子工程學院;四川大學電子信息學院;
【基金】：四川省科技計劃項目(SC6014534) 樂山市科技攻關項目(ZD130541)
【分類號】：TN248;TN304.12
【正文快照】： 0引言多晶硅是制造太陽能電池的重要材料,多晶硅電池在太陽能電池中占有的比例越來越高。多晶硅的優(yōu)點是能夠制備出適合規(guī)�；a(chǎn)大尺寸方形硅錠,設備價格低廉,制造過程簡單、省電、節(jié)約硅材料,對材質(zhì)要求也較低。但是多晶硅太陽能電池比單晶硅太陽電池的光電轉(zhuǎn)換效率低,其原，

本文編號：1274932