本文關(guān)鍵詞：632nm激光對(duì)CCD和CMOS的干擾實(shí)驗(yàn)及機(jī)理分析

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【摘要】：為了研究激光對(duì)圖像傳感器的干擾機(jī)理,利用632nm激光開展了對(duì)CCD和CMOS兩種圖像傳感器的干擾實(shí)驗(yàn),將實(shí)驗(yàn)采集的數(shù)字圖像進(jìn)行處理,提取了不同激光功率下,圖像橫縱向最大干擾寬度,并從CCD和CMOS內(nèi)部結(jié)構(gòu)上解釋了產(chǎn)生干擾差異的原因。之后利用激光光強(qiáng)關(guān)系式推導(dǎo)出最大干擾寬度與激光輻照光功率之間的關(guān)系,并根據(jù)此關(guān)系擬合了CCD橫向和CMOS橫縱向最大干擾寬度曲線,擬合結(jié)果與實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)吻合較好,說明了CCD橫向和CMOS橫縱向受干擾的主要原因是由光強(qiáng)本身引起的高斯光束整體抬升。對(duì)于CCD縱向串?dāng)_過程,通過實(shí)驗(yàn)可以得出CCD串?dāng)_過程分為兩個(gè)階段:開始階段可能是由電子隧穿引起的,后期主要是載流子的飽和擴(kuò)散。
【作者單位】： 北京信息科技大學(xué)儀器科學(xué)與光電工程學(xué)院;
【基金】：北京市自然科學(xué)基金(4154071) 北京市優(yōu)秀人才培養(yǎng)資助青年骨干個(gè)人項(xiàng)目(201400002012G105)
【分類號(hào)】：TP212;TN249
【正文快照】： 目前廣泛應(yīng)用的固體圖像傳感器主要有CCD(Charge Coupled Device)圖像傳感器和CMOS(Com-plementary Metal Oxide Semiconductor)圖像傳感器。CCD具有體積小、靈敏度高、動(dòng)態(tài)范圍大、抗畸變等優(yōu)點(diǎn),已經(jīng)廣泛應(yīng)用于衛(wèi)星偵察、遙感等軍事和科學(xué)領(lǐng)域[1-6],CMOS具有功耗低、集成度高

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