X波段GaAs功率芯片共晶焊熱應(yīng)力分析
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【摘要】:隨著電子封裝集成度的不斷提高,電子芯片的功率容量和發(fā)熱量也越來(lái)越大,封裝體內(nèi)部溫度分布不均以及產(chǎn)生的熱應(yīng)力影響芯片的可靠性.熱沉作為電子設(shè)備主要的散熱方式之一,被廣泛使用.利用ANSYS有限元軟件針對(duì)芯片-共晶層-熱沉結(jié)構(gòu)進(jìn)行建模,通過(guò)有限元3D模型模擬該封裝結(jié)構(gòu)在熱循環(huán)溫度-55~125℃條件下產(chǎn)生的熱應(yīng)力情況,研究了采用不同熱沉材料共晶焊的應(yīng)力.結(jié)果表明,該結(jié)構(gòu)封裝的最大應(yīng)力出現(xiàn)在熱沉下表面的4個(gè)拐角處.鎢銅為熱沉結(jié)構(gòu)時(shí)應(yīng)力值最大,AlSi50次之,Al N最小.研究結(jié)果對(duì)X波段功率模塊封裝設(shè)計(jì)提供了設(shè)計(jì)依據(jù).
【作者單位】: 南京信息工程大學(xué)電子與信息工程學(xué)院;成都亞光電子股份有限公司;
【分類(lèi)號(hào)】:TN405
【正文快照】: 0序言目前微波芯片的封裝趨勢(shì)是小型化,重量輕,降低成本和有效的熱管理.芯片最重要的封裝需求是滿(mǎn)足封裝熱沉上的熱量能夠容易地散熱[1].微電子器件封裝中都要使用多種不同材料,由于材料熱膨脹系數(shù)的不同,在生產(chǎn)和使用過(guò)程中,各層材料及界面將產(chǎn)生不同的熱應(yīng)力.層間界面熱應(yīng)力
【相似文獻(xiàn)】
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,本文編號(hào):1241340
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