本文關(guān)鍵詞：一種新型雙重圖形技術(shù)拆分方法

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【摘要】：基于奇數(shù)周期理論,提出一種新型快速高效率的雙重圖形技術(shù)(DPT)拆分方法。對于圖形拆分過程中遇到的剩余違規(guī)沖突問題,分析其存在的原因,闡述了已知解決途徑;基于奇數(shù)周期理論,詳細(xì)闡述了新型圖形拆分方法的實(shí)現(xiàn)步驟,該方法主要適用于未在設(shè)計階段考慮兼容DPT的設(shè)計版圖,能夠?qū)Π鎴D順利完成包含更改設(shè)計和引入切割的圖形拆分過程;采用新方法拆分實(shí)際版圖,進(jìn)一步證明了該方法能夠同時減少剩余沖突和引入切割數(shù)目;采用EDA工具模擬了拆分之后進(jìn)行光源掩膜優(yōu)化(SMO)和光學(xué)臨近效應(yīng)修正(OPC)的光刻分辨率增強(qiáng)流程,驗(yàn)證了DPT能夠提高分辨率、增大光刻工藝窗口。
【作者單位】： 中國科學(xué)院微電子研究所微電子器件與集成技術(shù)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室;
【基金】：中國科學(xué)院微電子器件與集成技術(shù)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室課題基金資助項(xiàng)目 國家科技重大專項(xiàng)資助項(xiàng)目(2013ZX02303) 國家自然科學(xué)基金青年科學(xué)基金資助項(xiàng)目(61504161)
【分類號】：TN405
【正文快照】： 0引言隨著電路集成度的提高和規(guī)模的增大,電路中的單元器件尺寸不斷縮小,對集成電路制造工藝的要求不斷提高,特征線寬持續(xù)減小,芯片制造對光刻分辨率要求越來越高。對于28 nm節(jié)點(diǎn)以下的設(shè)計,采用193 nm浸沒式單次曝光技術(shù)已經(jīng)無法滿足工藝因子k1=0.25的分辨率要求。而極紫外(E

【相似文獻(xiàn)】

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本文編號：1238054