本文關(guān)鍵詞：極紫外光刻動(dòng)態(tài)氣體鎖抑制率的理論研究

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【摘要】：從理論上系統(tǒng)性地研究了動(dòng)態(tài)氣體鎖抑制率,提出了動(dòng)態(tài)氣體鎖理論分析模型。通過理論分析推導(dǎo)出單組分和多組分清潔氣體在等截面或者變截面條件下的動(dòng)態(tài)氣體鎖抑制率解析表達(dá)式,并對單組分清潔氣體在等截面和變截面條件下的動(dòng)態(tài)氣體鎖抑制率進(jìn)行了比較。研究結(jié)果表明,當(dāng)抑制率為85%以上時(shí),可以近似地使用等截面假設(shè)來計(jì)算動(dòng)態(tài)氣體鎖抑制率,且應(yīng)以清潔氣體出口處截面面積作為動(dòng)態(tài)氣體鎖平均截面面積;動(dòng)態(tài)氣體鎖抑制率與動(dòng)態(tài)氣體鎖結(jié)構(gòu)以及清潔氣體相關(guān)量值有關(guān),當(dāng)給定動(dòng)態(tài)氣體鎖結(jié)構(gòu)和擴(kuò)散系數(shù)時(shí),動(dòng)態(tài)氣體鎖抑制率隨著向硅片臺(tái)腔室擴(kuò)散的氣體體積流量的增大而增大。該動(dòng)態(tài)氣體鎖抑制率理論研究體系,能夠?yàn)闃O紫外(EUV)光刻機(jī)動(dòng)態(tài)氣體鎖的研制提供理論依據(jù)。
【作者單位】： 中國科學(xué)院光電研究院;
【基金】：國家科技重大專項(xiàng)(2012ZX02702007)
【分類號(hào)】：TN305.7
【正文快照】： 1引言隨著集成電路的進(jìn)一步發(fā)展,波長為13.5nm的極紫外(EUV)光刻技術(shù)成為研究熱點(diǎn),國際半導(dǎo)體行業(yè)已經(jīng)將EUV光刻作為22nm或16nm分辨率節(jié)點(diǎn)大規(guī)模集成電路生產(chǎn)的候選光刻技術(shù)[1-2]。EUV光刻機(jī)由EUV光源、收集鏡、照明系統(tǒng)、掩模臺(tái)、投影物鏡系統(tǒng)和硅片臺(tái)等部分組成[3]。因?yàn)榭?

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1 郭婷婷;毛懿;張競濤;于麗天;譚慧瓊;;100mg和300mg阿司匹林對血小板抑制率的影響及臨床意義[A];中國心臟大會(huì)（CHC）2011暨北京國際心血管病論壇論文集[C];2011年

2 趙良運(yùn);丘少鵬;周彤q，

本文編號(hào)：1237445