本文關(guān)鍵詞：連續(xù)激光輻照CMOS相機(jī)的像素翻轉(zhuǎn)效應(yīng)及機(jī)理

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【摘要】：為了研究激光對(duì)CMOS圖像傳感器的干擾效果,利用632.8 nm連續(xù)激光開展了對(duì)CMOS相機(jī)的飽和干擾實(shí)驗(yàn)。隨著入射激光功率的增加,分別觀察到未飽和、飽和、全屏飽和等現(xiàn)象,并發(fā)現(xiàn),在全屏飽和前,功率密度達(dá)到1.4 W/cm~2后,光斑強(qiáng)區(qū)中心區(qū)域出現(xiàn)了像素翻轉(zhuǎn)效應(yīng)。進(jìn)一步加大光敏面激光功率密度到95.1 W/cm2,激光作用停止后相機(jī)仍能正常成像,證明像素翻轉(zhuǎn)效應(yīng)并非源自硬損傷�；贑MOS相機(jī)芯片的結(jié)構(gòu)和數(shù)據(jù)采集處理過程進(jìn)行了機(jī)理分析,認(rèn)為強(qiáng)光輻照產(chǎn)生的過量光生載流子使得光電二極管電容上原來充滿的電荷被快速釋放,使得相關(guān)雙采樣中的兩次采樣所得信號(hào)V_(reset)與V_(signal)逐漸接近,是輸出像素翻轉(zhuǎn)的一種可能原因。
【作者單位】： 四川大學(xué)物理科學(xué)與技術(shù)學(xué)院;西北核技術(shù)研究所激光與物質(zhì)相互作用國家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室;
【基金】：西北核技術(shù)研究所預(yù)研項(xiàng)目(12111502,SKLlIM1401Z)
【分類號(hào)】：TP212;TN24
【正文快照】： 0引言互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體圖像傳感器(ComplementaryMetal-Oxide-Semiconductor Image Sensor,CIS)具有功耗低、集成度高、成本低等特點(diǎn),是電荷耦合器件(Charge Coupled Device,CCD)之外的另一類常見成像器件。隨著大規(guī)模集成電路技術(shù)的進(jìn)步,CIS的噪聲抑制水平不斷提高,成像

【相似文獻(xiàn)】

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