本文關(guān)鍵詞：連續(xù)激光輻照CMOS相機的像素翻轉(zhuǎn)效應(yīng)及機理

  更多相關(guān)文章： 激光 圖像傳感器 輻照效應(yīng) CMOS 像素翻轉(zhuǎn)

【摘要】：為了研究激光對CMOS圖像傳感器的干擾效果,利用632.8 nm連續(xù)激光開展了對CMOS相機的飽和干擾實驗。隨著入射激光功率的增加,分別觀察到未飽和、飽和、全屏飽和等現(xiàn)象,并發(fā)現(xiàn),在全屏飽和前,功率密度達到1.4 W/cm~2后,光斑強區(qū)中心區(qū)域出現(xiàn)了像素翻轉(zhuǎn)效應(yīng)。進一步加大光敏面激光功率密度到95.1 W/cm2,激光作用停止后相機仍能正常成像,證明像素翻轉(zhuǎn)效應(yīng)并非源自硬損傷�；贑MOS相機芯片的結(jié)構(gòu)和數(shù)據(jù)采集處理過程進行了機理分析,認為強光輻照產(chǎn)生的過量光生載流子使得光電二極管電容上原來充滿的電荷被快速釋放,使得相關(guān)雙采樣中的兩次采樣所得信號V_(reset)與V_(signal)逐漸接近,是輸出像素翻轉(zhuǎn)的一種可能原因。
【作者單位】： 四川大學物理科學與技術(shù)學院;西北核技術(shù)研究所激光與物質(zhì)相互作用國家重點實驗室;
【基金】：西北核技術(shù)研究所預研項目(12111502,SKLlIM1401Z)
【分類號】：TP212;TN24
【正文快照】： 0引言互補金屬氧化物半導體圖像傳感器(ComplementaryMetal-Oxide-Semiconductor Image Sensor,CIS)具有功耗低、集成度高、成本低等特點,是電荷耦合器件(Charge Coupled Device,CCD)之外的另一類常見成像器件。隨著大規(guī)模集成電路技術(shù)的進步,CIS的噪聲抑制水平不斷提高,成像

【相似文獻】

中國期刊全文數(shù)據(jù)庫 前5條

1 劉澤金，陸啟生，，蔣志平，趙伊君;面陣CCD圖像傳感器點破壞機理研究[J];應(yīng)用激光;1995年02期

2 畢娟;張喜和;倪曉武;;長脈沖激光對組成CCD圖像傳感器的MOS光敏單元的硬破壞機理研究[J];物理學報;2011年11期

3 蘇煜偉;孫釗;陳羽;;基于圖像傳感器的激光測距方法研究[J];機械與電子;2013年01期

4 ;簡訊[J];半導體光電;1989年03期

5 ;[J];;年期

中國重要報紙全文數(shù)據(jù)庫 前1條

1 余海若;信息時代的電子眼[N];大眾科技報;2009年

中國博士學位論文全文數(shù)據(jù)庫 前1條

1 谷林;基于CMDS圖像傳感器的嵌入式二維準直測角系統(tǒng)[D];中國科學院研究生院（西安光學精密機械研究所）;2007年

中國碩士學位論文全文數(shù)據(jù)庫 前2條

1 胡曉偉;基于CMOS圖像傳感器的液體折射率研究[D];浙江大學;2005年

2 郭亮;基于圖像傳感器的激光器測試系統(tǒng)[D];長春理工大學;2009年

本文編號：1234596