本文關(guān)鍵詞：適用于電路仿真的IGBT模塊暫態(tài)模型研究

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【摘要】：高壓IGBT與二極管構(gòu)成IGBT模塊已經(jīng)廣泛應(yīng)用于柔性直流輸電技術(shù)領(lǐng)域。然而現(xiàn)有仿真研究難以模擬IGBT模塊中IGBT與二極管各自詳細開關(guān)暫態(tài)特性及相互影響,因此提出一種適用于電路仿真的IGBT模塊暫態(tài)模型及其參數(shù)通用提取方法。模型采用機理推導(dǎo)、電氣等效、曲線擬合等方法在PSCAD、SABER等電路仿真平臺實現(xiàn),無需獲取器件底層參數(shù)和求解復(fù)雜物理方程,不僅可以實現(xiàn)電路仿真中IGBT模塊的各種運行狀態(tài),而且可以在納秒級步長下模擬其電壓電流尖峰、拖尾電流、米勒平臺等開關(guān)暫態(tài)特性。通過與SABER中通用模型仿真結(jié)果及實驗實測波形對比分析,驗證了IGBT模塊暫態(tài)模型和參數(shù)提取方法的正確性和通用性,為進一步將模型應(yīng)用于柔性直流輸電系統(tǒng)仿真、電磁干擾及損耗分析、控制策略等研究打下基礎(chǔ)。
【作者單位】： 華北電力大學(xué)電氣與電子工程學(xué)院;國網(wǎng)智能電網(wǎng)研究院;
【基金】：國家自然科學(xué)基金資助項目(51177042) 國家電網(wǎng)公司科技資助項目(SGRI-DL-71-13-001)~~
【分類號】：TN322.8
【正文快照】： 引言當(dāng)前,IGBT與二極管構(gòu)成IGBT模塊已經(jīng)廣泛應(yīng)用于柔性直流輸電技術(shù)領(lǐng)域,如電壓源換流器型圖1 IGBT暫態(tài)等效模型Fig.1 IGBT transient equivalent model表1 IGBT寄生電容及內(nèi)阻Tab.1 Parasitic capacitor and resistor of IGBT直流輸電、靜止無功補償器等,對于其開關(guān)暫態(tài)過程

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本文編號：1228025