本文關鍵詞：905nm隧道帶間級聯非耦合雙有源區(qū)半導體激光器

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【摘要】：通過對有源區(qū)、波導層、限制層和隧道結的分析,設計了激射波長為905nm的隧道帶間級聯非耦合雙有源區(qū)半導體激光器。采用金屬有機物化學汽相淀積(MOCVD)系統(tǒng)外延法生長了器件,并經過光刻、腐蝕、解理和焊裝等工藝,制備了激射波長為905nm的隧道帶間級聯非耦合雙有源區(qū)半導體激光器。腔面未鍍膜時,在1.2A的脈沖注入電流下,器件的峰值波長為904.4nm,垂直遠場為單峰,發(fā)散角為25.8°,表明兩個有源區(qū)的光場未發(fā)生耦合,斜率效率為1.12 W/A,為相同結構單有源區(qū)器件的1.9倍。
【作者單位】： 北京工業(yè)大學光電子技術省部共建教育部重點實驗室;
【基金】：北京市教委能力提升(PXM2014 014204 07 000018)的資助項目
【分類號】：TN248.4
【正文快照】： 1引言為了提高半導體激光器的光輸出功率,傳統(tǒng)的方法是提高注入電流,但注入電流的提高會引起器件內部產生的熱量大幅度增長,從而導致器件的燒毀;采用分立管芯疊層燒結[1]的方法將多個半導體激光器串聯也可以達到提高光功率密度的效果,但由于管芯厚度的原因,使激光器的輸出功率

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本文編號：1210022