本文關鍵詞：亞波長光柵對微機電系統(tǒng)波長可調(diào)諧垂直腔面發(fā)射激光器的影響

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【摘要】：將增透亞波長光柵分別置于微機電系統(tǒng)(MEMS)波長可調(diào)諧垂直腔面發(fā)射激光器(VCSEL)的內(nèi)腔、上分立布拉格反射器(DBR)的上表面和下表面,分析了其對器件波長調(diào)諧范圍、駐波場和諧振腔波長的影響。通過建模計算可知,當亞波長光柵置于MEMS波長可調(diào)諧VCSEL的內(nèi)腔中時,波長調(diào)諧量最大,可達54nm;光柵置于上DBR的上表面和下表面時,波長調(diào)諧量僅能達到40nm和33nm。通過分析駐波場可以發(fā)現(xiàn),當亞波長光柵置于上DBR的上表面時,有源區(qū)能量占總能量的0.36%,而置于上DBR的下表面和內(nèi)腔時分別為0.08%和0.02%。比較三種結構的諧振腔波長可以發(fā)現(xiàn),對于光柵在內(nèi)腔和上DBR的下表面時,橫電(TE)和橫磁(TM)偏振對應的諧振腔波長分別出現(xiàn)了8.3nm和10.1nm的分離,而光柵放置在上DBR的上表面時兩個偏振波長并沒有偏離,由此可知,光柵在內(nèi)腔和上DBR的下表面實現(xiàn)偏振穩(wěn)定原理與光柵在上DBR的上表面時是不同的。
【作者單位】： 衢州職業(yè)技術學院信息工程學院;北京工業(yè)大學電子信息與控制工程學院;
【分類號】：TN248.4
【正文快照】： 1 引言 自1977年日本學者伊賀健一首次提出垂直腔面發(fā)射激光器(VCSEL)以來,VCSEL由于具有閾值小、易于與光纖耦合、體積小、高相干度陣列集成等特點,受到了廣泛的關注與應用[1-5]。與傳統(tǒng)邊發(fā)射激光器相比,其無需解理封裝即可直接在片測試分析,大大降低了制造成本。 VCSEL具

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