本文關(guān)鍵詞：石墨烯場效應管制備的關(guān)鍵工藝研究

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【摘要】：近年來,石墨烯因其獨特的物理化學性質(zhì)備受關(guān)注,但石墨烯的零帶隙結(jié)構(gòu),限制了它在光電領(lǐng)域方面的應用。研究了石墨烯場效應管制備的關(guān)鍵工藝,即用石墨烯圖形化打開其帶隙,并在1 cm×1 cm的石墨烯薄膜上制備出大規(guī)模、多尺寸的微結(jié)構(gòu)石墨烯場效應管。通過對石墨烯場效應管關(guān)鍵工藝的優(yōu)化研究,如石墨烯的無損轉(zhuǎn)移、石墨烯條帶的刻蝕、光刻膠的選擇、金屬蒸鍍以及退火等工藝,為石墨烯場效應管的進一步研究提供了可靠的工藝參考。
【作者單位】： 重慶理工大學光電信息學院;河南理工大學電氣工程與自動化學院;
【基金】：重慶理工大學研究生創(chuàng)新基金資助項目(No.YCX2014221)
【分類號】：TN386
【正文快照】： 隨著硅基半導體技術(shù)的飛速發(fā)展,硅基電子器件的集成面臨尺寸不斷縮小的瓶頸,是下一代超大規(guī)模集成電路發(fā)展中的一項巨大挑戰(zhàn)[1]。石墨烯獨特的電子性質(zhì)有望成為下一代集成電路材料。石墨烯是單原子層厚度的碳原子緊密排列而成的零帶隙的二維平面晶體材料[2],其價帶與導帶相交

【參考文獻】

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【共引文獻】

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【二級參考文獻】

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【相似文獻】

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中國碩士學位論文全文數(shù)據(jù)庫 前10條

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4 田正文;基于石墨烯的側(cè)邊拋磨光纖和微納光纖光控特性研究[D];暨南大學;2015年

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