本文關(guān)鍵詞：碳化硅薄膜的力學(xué)性能理論研究

  更多相關(guān)文章： SiC薄膜 ANSYS數(shù)值模擬 剛度 缺陷 溫度

【摘要】：目前,SiC薄膜在極端苛刻環(huán)境下的力學(xué)性質(zhì)尚不明確,相關(guān)力學(xué)參數(shù)仍需進(jìn)一步研究。文章采用模擬軟件ANSYS對(duì)微尺寸的SiC薄膜在不同條件下的力學(xué)性能進(jìn)行了理論分析。研究了SiC薄膜的面積和厚度對(duì)剛度的影響,結(jié)果表明,其剛度與薄膜面積成反比,與薄膜厚度的三次方成正比。其次,研究了材料中缺陷的尺寸及其位置對(duì)SiC薄膜力學(xué)性能的影響,模擬結(jié)果表明,缺陷的位置越接近薄膜中心,對(duì)剛度的影響越大;缺陷的尺寸越大,密度越高,薄膜的剛度越小。根據(jù)實(shí)驗(yàn)測(cè)得高溫下楊氏模量數(shù)據(jù),模擬計(jì)算發(fā)現(xiàn)SiC薄膜的剛度在290~2 500K范圍內(nèi),隨溫度升高呈準(zhǔn)線性下降趨勢(shì)。
【作者單位】： 南京大學(xué)電子科學(xué)與工程學(xué)院江蘇省光電信息功能材料重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室;南京電子器件研究所;
【基金】：國(guó)家重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃項(xiàng)目(2016YFB0400100) 國(guó)家“863”計(jì)劃項(xiàng)目(2014AA032605,2015AA033305) 國(guó)家自然科學(xué)基金項(xiàng)目(61605071,61674076,61274003,61422401,51461135002,61334009) 江蘇省自然科學(xué)基金項(xiàng)目(BY2013077,BK20141320,BE2015111) 固態(tài)照明與節(jié)能電子學(xué)協(xié)同創(chuàng)新中心項(xiàng)目 江蘇省重點(diǎn)學(xué)科資助計(jì)劃項(xiàng)目 南京大學(xué)揚(yáng)州光電研究院研發(fā)基金項(xiàng)目
【分類號(hào)】：TN304.24
【正文快照】： 0引言碳化硅(SiC)材料被稱為第三代半導(dǎo)體材料,具有禁帶寬度大、硬度高、高溫穩(wěn)定性好、導(dǎo)熱系數(shù)較大以及抗腐蝕能力強(qiáng)等特性[1-2]。在電學(xué)性能方面,SiC材料具有較高的耐擊穿場(chǎng)強(qiáng)、較高的飽和電子漂移速度等優(yōu)勢(shì),使其能夠在高壓、高溫和高頻環(huán)境下工作。這些優(yōu)越的特性使得SiC

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1 李君翊;基于單軸微拉伸的Cu-TSV薄膜力學(xué)性能研究[D];上海交通大學(xué);2013年

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本文編號(hào)：1196804