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憶阻器的發(fā)展現(xiàn)狀與未來(lái)

發(fā)布時(shí)間:2017-11-17 16:09

  本文關(guān)鍵詞:憶阻器的發(fā)展現(xiàn)狀與未來(lái)


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【摘要】:憶阻器是近年來(lái)發(fā)現(xiàn)的一種新型無(wú)源電路元件,具有非易失記憶特性,且在開(kāi)關(guān)性能和工藝尺寸等多方面具有優(yōu)勢(shì),可能成為IT技術(shù)新的物理基礎(chǔ)。本文概述了憶阻器的研究意義,詳細(xì)介紹了憶阻器的定義與發(fā)展歷程,著重從器件制備、表征測(cè)試、基于憶阻器的新型計(jì)算系統(tǒng)應(yīng)用等三個(gè)方面綜述總結(jié)了國(guó)內(nèi)外發(fā)展現(xiàn)狀,并對(duì)憶阻器未來(lái)發(fā)展所面臨的挑戰(zhàn)進(jìn)行了展望。研究表明,憶阻器相關(guān)研究將為突破馮諾依曼計(jì)算機(jī)構(gòu)的限制,研究下一代計(jì)算系統(tǒng)奠定扎實(shí)的器件與架構(gòu)基礎(chǔ)。
【作者單位】: 國(guó)防科技大學(xué)電子科學(xué)與工程學(xué)院;
【分類(lèi)號(hào)】:TN60
【正文快照】: 憶阻器是一種新型無(wú)源納米信息器件,其阻值由激勵(lì)歷史決定且連續(xù)變化,斷電后保持不變、呈現(xiàn)非易失性。電子信息技術(shù)的發(fā)展已進(jìn)入“后摩爾”時(shí)代,進(jìn)一步縮小半導(dǎo)體器件的尺寸面臨著制備工藝和物理機(jī)理的雙重限制,國(guó)際學(xué)術(shù)界和產(chǎn)業(yè)界均將研究的重點(diǎn)轉(zhuǎn)向新原理納米信息器件。憶阻,

本文編號(hào):1196592

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