UV-LED曝光系統(tǒng)及曝光工藝研究
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【摘要】:光刻一直以來都是半導(dǎo)體制造的咽喉工藝。光刻設(shè)備的研制也是全世界科研的重點,傳統(tǒng)的近紫外波長的光刻設(shè)備使用汞燈作為光源,維護(hù)成本高、設(shè)備機(jī)構(gòu)復(fù)雜、操作不方便。近幾年來得益于半導(dǎo)體照明材料和技術(shù)的快速發(fā)展,從而研制一款結(jié)構(gòu)小巧、操作便捷、維護(hù)低成本的紫外LED (UV-LED)光刻機(jī),具備了迫切性和可行性。論文分析了光刻設(shè)備的發(fā)展過程和光刻工藝流程,并對幾種光刻光源進(jìn)行了討論。研究和討論了傳統(tǒng)汞燈光刻設(shè)備的缺點和局限。對使用半導(dǎo)體照明作為光刻光源的方案進(jìn)行了研究。并對新型的UV-LED曝光光源穩(wěn)定和控制進(jìn)行了實驗研究,以及UV-LED光刻設(shè)備獲得細(xì)微圖形的工藝方法做了研究和討論。主要內(nèi)容有:1、研究了LED發(fā)光原理,基于UV-LED的發(fā)光特性和電學(xué)特性進(jìn)行了分析。通過對UV-LED溫度和電流控制從而得出穩(wěn)定的波長和強(qiáng)度。研究光源在不同的功率工作情況下選擇具體的散熱方案和方法,對UV-LED恒流驅(qū)動設(shè)計進(jìn)行了討論。獲得了UV-LED曝光光源工作穩(wěn)定的控制方法。2、研究了曝光光路和顯微對準(zhǔn)光路,提出模擬方案,并進(jìn)行了實驗。通過實驗得到了均勻度95%以上的曝光光路;以及分辨率達(dá)到2μm的對準(zhǔn)顯微光路。3、對集成后的整機(jī)進(jìn)行了研究,通過UV-LED光刻機(jī)進(jìn)行光刻實驗,對UV-LED光刻機(jī)的整套曝光工藝進(jìn)行了實驗研究,探索獲得了UV-LED光刻機(jī)的曝光工藝參數(shù)。UV-LED作為光源的光刻機(jī)的可行性和有效性得到了實踐,展示了UV-LED在可見紫外和近紫外波長范圍內(nèi)作為光刻光源的巨大潛力。
【學(xué)位授予單位】:北京交通大學(xué)
【學(xué)位級別】:碩士
【學(xué)位授予年份】:2016
【分類號】:TN305.7;TN312.8
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,本文編號:1185744
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