本文關(guān)鍵詞：氧化物憶阻器材料及其阻變機(jī)理研究進(jìn)展

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【摘要】：憶阻器是目前材料和電子領(lǐng)域的研究前沿和熱點,氧化物材料在憶阻器研究中具有重大價值。本文綜述了近年來研究較多的幾種典型氧化物憶阻器材料,包括TiO_2、SiO_x、HfO_x、Al_2O_3、ZnO、ZrO_2、TaOx以及ZnSnO_3等,并介紹了導(dǎo)電細(xì)絲機(jī)制、氧化還原機(jī)制、邊界遷移機(jī)制以及相變機(jī)制等四種常見的阻變機(jī)理,展望了未來憶阻器材料研究的方向與重點。
【作者單位】： 國防科技大學(xué)新型陶瓷纖維及其復(fù)合材料重點實驗室;
【分類號】：TN604;;TM54
【正文快照】： 憶阻器(Memristor),又名記憶電阻(Memoryresistors),是一種被動電子元件,與電阻不同的是,憶阻器在關(guān)掉電源后,仍能“記憶”先前通過的電荷量。最初于1971年,加州大學(xué)伯克利分校的華裔科學(xué)家蔡少棠(Leon Chua)根據(jù)電子學(xué)理論中電路四大基本變量電荷Q、磁通?、電壓V、電流I的排

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