本文關鍵詞：半導體所研制出GaN基紫外激光器

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【摘要】：正2016年12月14日,中國科學院半導體研究所集成光電子學國家重點實驗室研究員趙德剛團隊研制出GaN基紫外激光器。GaN被稱為第三代半導體,在光電子學和微電子學領域有廣泛的應用,其中GaN基紫外激光器在紫外固化、紫外殺菌等領域有重要的應用價值,也是國際上的研究熱點。GaN基紫外激光器技術
【作者單位】： 中國科學院半導體研究所;
【分類號】：TN248
【正文快照】： 2016年12月14日,中國科學院半導體研究所集成光電子學國家重點實驗室研究員趙德剛團隊研制出Ga N基紫外激光器。Ga N被稱為第三代半導體,在光電子學和微電子學領域有廣泛的應用,其中Ga N基紫外激光器在紫外固化、紫外殺菌等領域有重要的應用價值,也是國際上的研究熱點。Ga N基

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本文編號：1172774