發(fā)布時(shí)間：2017-11-11 19:00

  本文關(guān)鍵詞：新一代功率芯片耐高溫封裝連接國內(nèi)外發(fā)展評述

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【摘要】：新一代半導(dǎo)體高溫功率芯片可在500℃左右甚至更高的溫度下服役,耐高溫封裝已成為其高溫應(yīng)用的主要障礙.針對當(dāng)前高溫功率芯片耐高溫封裝連接問題,從芯片耐高溫封裝連接的結(jié)構(gòu)及要求、芯片的耐高溫封裝連接方法(包括高溫?zé)o鉛釬料封裝連接、銀低溫?zé)Y(jié)連接、固液互擴(kuò)散連接和瞬時(shí)液相燒結(jié)連接)及存在的問題等方面對國內(nèi)外研究現(xiàn)狀、動態(tài)進(jìn)行了分析和評述,并提出了今后高溫功率芯片耐高溫封裝連接的研究重點(diǎn)和發(fā)展方向.
【作者單位】： 北京科技大學(xué)材料科學(xué)與工程學(xué)院;
【基金】：國家自然科學(xué)基金資助項(xiàng)目(51474026)
【分類號】：TN405
【正文快照】： 0序言發(fā)展應(yīng)用于高溫、高功率、高頻等極端環(huán)境中的電子器件是當(dāng)前電力電子技術(shù)領(lǐng)域發(fā)展的重點(diǎn)方向.Si C,Ga N和Al N等是自第一代元素半導(dǎo)體材料(Si)和第二代化合物半導(dǎo)體材料(Ga As,Ga P,In P)之后發(fā)展起來的第三代寬帶隙半導(dǎo)體材料.第一、二代傳統(tǒng)半導(dǎo)體集成電路與器件無法

【參考文獻(xiàn)】

中國期刊全文數(shù)據(jù)庫 前1條

1 張穎川;閆劍鋒;鄒貴生;白海林;劉磊;閆久春;ZHOU Yunhong;;納米銀與納米銅混合焊膏用于電子封裝低溫?zé)Y(jié)連接[J];焊接學(xué)報(bào);2013年08期

【共引文獻(xiàn)】

中國期刊全文數(shù)據(jù)庫 前1條

1 崔西會;孫毅;陸君;;納米銀漿在微系統(tǒng)集成技術(shù)方面的應(yīng)用[J];中國電子科學(xué)研究院學(xué)報(bào);2015年01期

【二級參考文獻(xiàn)】

中國期刊全文數(shù)據(jù)庫 前2條

1 閆劍鋒;鄒貴生;李健;吳愛萍;;納米銀焊膏的燒結(jié)性能及其用于銅連接的研究[J];材料工程;2010年10期

2 鄒貴生;閆劍鋒;母鳳文;吳愛萍;Zhou Y.Norman;;微連接和納連接的研究新進(jìn)展[J];焊接學(xué)報(bào);2011年04期

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本文編號：1172660