發(fā)布時間：2017-11-11 16:07

  本文關鍵詞：SiGe-OI微環(huán)諧振器的濾波特性分析

  更多相關文章： 絕緣層上鍺硅 微環(huán)諧振器 濾波特性 耦合系數(shù)

【摘要】：SiGe-OI微環(huán)諧振器是一種新型半導體材料的諧振器。本文根據(jù)傳輸矩陣法得到微環(huán)諧振器的傳遞函數(shù),研究了上下載濾波器和上、下載端口的性能,分析了SiGe-OI微環(huán)諧振器的濾波特性,以及耦合特性對濾波特性的影響。通過模擬軟件建立SiGe-OI微環(huán)諧振器模型,主要對其結構參數(shù)、耦合系數(shù)、3dB帶寬和消光比等參數(shù)進行了分析,仿真了波導寬度、耦合間距、波長與耦合系數(shù)的關系,以及耦合系數(shù)對3dB帶寬和消光比的影響。最終給出了耦合系數(shù)的范圍以及不同耦合系數(shù)下的濾波特性,為SiGe-OI微環(huán)諧振器的研究提供了理論參考。
【作者單位】： 西安工程大學理學院;西安理工大學自動化與信息工程學院;
【基金】：國家自然科學基金資助項目(61204080) 陜西省教育廳科研計劃資助項目(15JK1292) 西安工程大學博士科研啟動基金資助項目(BS1128,BS1436);西安工程大學研究生教育“質量工程”資助項目(15yzl10) 陜西省普通高校重點學科建設專項資金建設項目((2008)169)
【分類號】：TN629.1
【正文快照】： SiGe-OI(Silicon Germanium on Insulator)材料是近幾年興起的一種新型半導體材料,它是在絕緣層的襯底上,通過分子束外延等方式制作出的一種類似SOI(Silicon on Insulator)的新材料,具有折射率高、禁帶寬度小、傳輸損耗小、對光波限制能力強、便于光電集成等優(yōu)點,因此SiGe-OI

【相似文獻】

中國期刊全文數(shù)據(jù)庫 前10條

1 李媛;應瑩;丁榮林;;一種新型缺陷接地結構及其濾波特性研究[J];電子測量與儀器學報;2007年02期

2 劉鑫;孔梅;王雪萍;;損耗對串聯(lián)雙微環(huán)諧振器濾波特性的影響[J];光子學報;2011年02期

3 掌蘊東,賈曉玲,畢勇,王騏,馬祖光;鉀色散光學濾波器的濾波特性[J];光學學報;2001年11期

4 顧林喻;韓俊霞;黃偉鋼;梁工英;;左手材料微波帶通濾波器的濾波特性分析[J];西安工業(yè)大學學報;2008年01期

5 陳飛;裴麗;劉超;;全光纖串聯(lián)雙環(huán)諧振器的濾波特性研究[J];光電技術應用;2014年02期

6 張兆龍，，徐露;利用單面嚙合法的濾波特性確定單嚙儀的采樣點數(shù)[J];機械科學與技術;1995年06期

7 黃韓娟,歐陽征標,許桂雯,安鶴男,阮雙琛,李景鎮(zhèn);復周期光子晶體的理想多通道濾波特性[J];光電子·激光;2003年01期

8 龐紹芳;張中月;屈世顯;;內嵌十字形金屬結構圓形諧振腔的濾波特性[J];光學學報;2013年11期

9 應瑩;李媛;栗換彩;;缺陷接地結構的濾波特性研究[J];電子測量技術;2006年06期

10 楊建義,江曉清,王明華;串聯(lián)雙環(huán)光微諧振器的濾波特性[J];光學學報;2003年10期

中國重要會議論文全文數(shù)據(jù)庫 前1條

1 王健;;改善人的濾波特性 提高人的工作能力[A];第二屆全國人—機—環(huán)境系統(tǒng)工程學術會議論文集[C];1995年

中國博士學位論文全文數(shù)據(jù)庫 前1條

1 焦健;耦合型主動頻率選擇表面濾波特性研究[D];中國科學院研究生院(長春光學精密機械與物理研究所);2015年

中國碩士學位論文全文數(shù)據(jù)庫 前1條

1 朱培;基于雙臂共享結構的馬赫-曾德爾干涉儀的濾波特性[D];哈爾濱工業(yè)大學;2010年

本文編號：1172098