天堂国产午夜亚洲专区-少妇人妻综合久久蜜臀-国产成人户外露出视频在线-国产91传媒一区二区三区

當(dāng)前位置:主頁(yè) > 科技論文 > 電子信息論文 >

近閾值電壓電路研究進(jìn)展

發(fā)布時(shí)間:2017-11-10 09:29

  本文關(guān)鍵詞:近閾值電壓電路研究進(jìn)展


  更多相關(guān)文章: 集成電路 近閾值電壓技術(shù) 低功耗 能量效率


【摘要】:近閾值電壓技術(shù)是一門(mén)能夠進(jìn)行低壓低功耗電路設(shè)計(jì)的新型技術(shù),并在應(yīng)用中取得了成果。從近閾值電壓技術(shù)的提出背景和發(fā)展現(xiàn)狀開(kāi)始,圍繞與傳統(tǒng)設(shè)計(jì)的比較分析,展開(kāi)論述了其技術(shù)優(yōu)勢(shì)及問(wèn)題挑戰(zhàn)。針對(duì)近閾值電壓技術(shù)的設(shè)計(jì)挑戰(zhàn),結(jié)合實(shí)際電路分析其解決方案。最后,簡(jiǎn)要介紹閾值電壓技術(shù)的產(chǎn)品化成果,并對(duì)其未來(lái)發(fā)展做出展望。
【作者單位】: 北方工業(yè)大學(xué)微電子學(xué)系;
【基金】:北京市自然科學(xué)基金資助項(xiàng)目(4122031)
【分類(lèi)號(hào)】:TN402
【正文快照】: 1引言自20世紀(jì)50年代K.Jack和N.Robert發(fā)明集成電路以來(lái),集成電路在軍事、通訊、遙控等領(lǐng)域得到了廣泛應(yīng)用,其集成度也一直遵循摩爾定律在飛速提高。集成電路設(shè)計(jì)的主要挑戰(zhàn)從80年代的提高設(shè)計(jì)效率、90年代的降低功耗,變?yōu)檫^(guò)去十年的改善漏電流。雖然集成電路在體積、可靠性、

【相似文獻(xiàn)】

中國(guó)期刊全文數(shù)據(jù)庫(kù) 前10條

1 姚若河;歐秀平;;低摻雜多晶硅薄膜晶體管閾值電壓的修正模型[J];華南理工大學(xué)學(xué)報(bào)(自然科學(xué)版);2010年01期

2 朱朝嵩,夏冠群,李傳海,詹琰;光照對(duì)閾值電壓均勻性的影響[J];半導(dǎo)體學(xué)報(bào);2002年02期

3 段健;;埋氧厚度對(duì)硅膜閾值電壓及硼雜質(zhì)分布的影響[J];西安工程大學(xué)學(xué)報(bào);2011年03期

4 屈江濤;張鶴鳴;胡輝勇;徐小波;王曉艷;;小尺寸應(yīng)變Si/SiGe PMOSFET閾值電壓及其電流電壓特性的研究[J];電子科技大學(xué)學(xué)報(bào);2012年02期

5 于學(xué)春,彭海琳,張然,張瑩瑩,劉忠范;含碘系列電荷轉(zhuǎn)移復(fù)合物的熱分解溫度對(duì)燒孔閾值電壓的影響[J];物理化學(xué)學(xué)報(bào);2004年06期

6 王冠宇;張鶴鳴;王曉艷;吳鐵峰;王斌;;亞100nm應(yīng)變Si/SiGe nMOSFET閾值電壓二維解析模型[J];物理學(xué)報(bào);2011年07期

7 楊國(guó)勇,宋安飛,馮耀蘭;硅體費(fèi)米勢(shì)在(300~600K)寬溫區(qū)溫度特性的研究[J];電子器件;2001年04期

8 Kaijian Shi;;雙閾值電壓與電源門(mén)控設(shè)計(jì)優(yōu)化流程方案[J];電子設(shè)計(jì)技術(shù);2006年05期

9 吳為敬;顏駿;許志平;賴(lài)志成;;IGZO TFT與ZnO TFT的性能比較[J];液晶與顯示;2011年02期

10 于宗光,許居衍,王鴻賓,魏同立;雙層多晶硅FlotoxEEPROM單元的優(yōu)化設(shè)計(jì)[J];應(yīng)用科學(xué)學(xué)報(bào);1997年01期

中國(guó)重要會(huì)議論文全文數(shù)據(jù)庫(kù) 前7條

1 崔錚;阮環(huán)陽(yáng);邱松;;介電層表面修飾對(duì)有機(jī)場(chǎng)效應(yīng)晶體管閾值電壓的影響[A];中國(guó)化學(xué)會(huì)第28屆學(xué)術(shù)年會(huì)第4分會(huì)場(chǎng)摘要集[C];2012年

2 熊俊峰;劉祥遠(yuǎn);郭陽(yáng);;基于多閾值電壓技術(shù)的功耗優(yōu)化方法研究[A];第十六屆計(jì)算機(jī)工程與工藝年會(huì)暨第二屆微處理器技術(shù)論壇論文集[C];2012年

3 張洪濤;郭雪峰;;界面修飾功能化有機(jī)場(chǎng)效應(yīng)晶體管[A];2011中國(guó)材料研討會(huì)論文摘要集[C];2011年

4 孫向南;狄重安;王鷹;劉云圻;;高性能閾值電壓可調(diào)控場(chǎng)效應(yīng)晶體管的制備[A];中國(guó)化學(xué)會(huì)第26屆學(xué)術(shù)年會(huì)有機(jī)固體材料分會(huì)場(chǎng)論文集[C];2008年

5 張志鋒;張鶴鳴;胡輝勇;宣榮喜;宋建軍;;應(yīng)變Si溝道NMOSFET閾值電壓特性研究[A];第十五屆全國(guó)化合物半導(dǎo)體材料,,微波器件和光電器件學(xué)術(shù)會(huì)議論文集[C];2008年

6 唐俊雄;唐明華;楊鋒;張俊杰;周益春;鄭學(xué)軍;;部分耗盡SOI MOSFETs中翹曲效應(yīng)的溫度模型(英文)[A];第六屆中國(guó)功能材料及其應(yīng)用學(xué)術(shù)會(huì)議論文集(2)[C];2007年

7 黃新林;竇建華;;基于自適應(yīng)體偏壓技術(shù)的低功耗研究[A];全國(guó)第20屆計(jì)算機(jī)技術(shù)與應(yīng)用學(xué)術(shù)會(huì)議(CACIS·2009)暨全國(guó)第1屆安全關(guān)鍵技術(shù)與應(yīng)用學(xué)術(shù)會(huì)議論文集(下冊(cè))[C];2009年

中國(guó)碩士學(xué)位論文全文數(shù)據(jù)庫(kù) 前10條

1 洪濤;硅納米線晶體管閾值電壓提取技術(shù)研究[D];湖南大學(xué);2012年

2 宋芳芳;電路級(jí)NBTI效應(yīng)的研究[D];華南理工大學(xué);2010年

3 冉帆;基于雙閾值電壓分配算法的芯片功耗優(yōu)化設(shè)計(jì)及研究[D];浙江大學(xué);2014年

4 周艷;多晶硅薄膜晶體管閾值電壓模型和寄生電阻提取方法[D];蘇州大學(xué);2011年

5 曹雪;非晶硅薄膜晶體管的模型研究[D];北京交通大學(xué);2014年

6 馮露;短溝MOSFET閾值電壓模型[D];國(guó)防科學(xué)技術(shù)大學(xué);2006年

7 趙陽(yáng);考慮源漏電場(chǎng)的準(zhǔn)二維MOSFET閾值電壓模型[D];安徽大學(xué);2012年

8 尹湘坤;應(yīng)變硅MOS器件閾值電壓模型研究[D];西安電子科技大學(xué);2010年

9 鄭智雄;基于變分法的準(zhǔn)二維MOSFET閾值電壓的解析模型[D];安徽大學(xué);2011年

10 凌曉宇;柵極的再氧化對(duì)EEPROM閾值電壓的影響及可控研究[D];復(fù)旦大學(xué);2011年



本文編號(hào):1166062

資料下載
論文發(fā)表

本文鏈接:http://sikaile.net/kejilunwen/dianzigongchenglunwen/1166062.html


Copyright(c)文論論文網(wǎng)All Rights Reserved | 網(wǎng)站地圖 |

版權(quán)申明:資料由用戶(hù)e8055***提供,本站僅收錄摘要或目錄,作者需要?jiǎng)h除請(qǐng)E-mail郵箱bigeng88@qq.com