本文關鍵詞：銻化鎵基半導體激光器高效率光束整形（英文）

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【摘要】：銻化鎵基半導體激光器發(fā)光波長為1.8~4μm,因為具有體積小、重量輕和電流驅動等優(yōu)勢,應用范圍很廣.但是單管激光器并不能提供滿足實際應用的激光功率,因此需要將已經成功應用于近紅外半導體激光器的光束合成方法移植到中紅外波段.在各種光束合成方法中,高效率的光束整形都是重要基礎.展示了一種采用多只單管半導體器件的高效率光束整形方法,并在實驗中實現了1.94μm波長1.93 W連續(xù)光功率輸出,整形效率高于90%.這個光束整形方法可以用于構建更復雜的光譜或相干光束合成.
【作者單位】： 中國科學院長春光學精密機械與物理研究所發(fā)光學及應用國家重點研究室;
【基金】：Supported by National Natural Science Foundation of China(61307032) the Science Research Program of Jilin Province(20140520108JH)
【分類號】：TN248.4
【正文快照】： IntroductionMid-infrared laser sources are needed in many are-as,such as industry,medical,environment,and de-fense.Ga Sb-based diode lasers can project light withwavelength of 1.8~4μm directly and become potentialcandidate which will replace solid-state

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本文編號：1165199