電注入橢圓微腔半導體激光器熱特性分析

發(fā)布時間：2017-11-08 20:30

本文關鍵詞：電注入橢圓微腔半導體激光器熱特性分析

【摘要】：對長軸為12μm、短軸為10μm并在長軸處直連2μm寬輸出波導的橢圓微盤激光器的熱特性進行了實驗和理論分析。測量連續(xù)電流注入微腔激光器的穩(wěn)態(tài)特性,根據其波長紅移計算器件熱阻為ZT=0.846 K/m W。用有限元分析法計算橢圓微腔的熱阻,理論與實驗結果相吻合,熱阻的最大偏差為5%。研究了微腔激光器襯底厚度對微腔有源區(qū)溫度的影響,通過引入側向散熱機制有效改善了微腔激光器的熱特性。
【作者單位】：長春理工大學高功率半導體激光國家重點實驗室;中國科學院半導體研究所集成光電子學國家重點聯(lián)合實驗室;
【基金】：國家自然科學基金(61176048;61177019;61308051) 吉林省科技發(fā)展計劃(20150203007GX;20130206016GX) 中國工程物理研究院高能激光重點實驗室基金(2014HEL01)
【分類號】：TN248.4
【正文快照】： 1引言半導體微腔激光器是光電子學和光子學領域中迅速發(fā)展起來的一種新器件,體積小、品質因子高,有利于在極低閾值下工作,并具有極高的調制速率,是光電子集成芯片的理想光源[1-5]。隨著微腔激光器的不斷發(fā)展,激光器內部熱效應對器件性能的影響越來越明顯,成為限制激光器工作特

【相似文獻】

中國期刊全文數據庫前10條

1 于榮金，王玉堂;微腔激光器及其列陣的發(fā)展[J];科技導報;1995年11期

2 王敏,王廣昌;用于細胞結構分析的生物微腔激光器[J];光電子技術與信息;1997年05期

3 吳根柱,張寶順,曲軼,任大翠,張興德;半導體微腔激光器閾值特性分析[J];半導體光電;2000年05期

4 韓艷玲,王宏;微腔激光器的發(fā)展與應用[J];物理與工程;2002年06期

5 吳根柱;李贊佳;霍海燕;鳳蘭;;四極子量子級聯(lián)微腔激光器模式理論[J];光子學報;2006年10期

6 李玲;吳燁;阮雙琛;;六方納米多孔單晶微腔激光器研究[J];深圳大學學報(理工版);2008年02期

7 鳳蘭;吳根柱;霍海燕;徐明蘭;孟潮洛蒙;;四極子形量子級聯(lián)微腔激光器[J];內蒙古大學學報(自然科學版);2008年06期

8 吳翔;尚磊;李皓;劉麗英;徐雷;;單頻單方向回音壁模式微腔激光器[J];激光與光電子學進展;2009年02期

9 章蓓，張存s輳髀�，，丁晓民，砚偩坚，蛙V襞簦煬�，諊I嵴�，王蕯r

本文編號：1158717

資料下載