發(fā)布時間：2017-11-08 09:24

  本文關(guān)鍵詞：氫鈍化對Ⅲ-Ⅴ族氮化物量子點電子結(jié)構(gòu)的影響

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【摘要】：在半導(dǎo)體納米結(jié)構(gòu)和薄膜表面的理論研究中,贗氫經(jīng)常被用來鈍化表面的懸掛鍵.眾所周知,由于量子限制效應(yīng),半導(dǎo)體納米結(jié)構(gòu)有著比體材料更大的帶隙.本文基于密度泛函理論,研究了氫鈍化對氮化物量子點電子結(jié)構(gòu)的影響,并詳細(xì)比較了真氫鈍化和贗氫鈍化的區(qū)別.我們構(gòu)建了氫鈍化的AlN,GaN,InN閃鋅礦和纖鋅礦兩種結(jié)構(gòu)的量子點模型,基于密度泛函理論的廣義梯度近似方法,計算了體材料、裸量子點、真氫及贗氫鈍化量子點的帶隙.經(jīng)過比較和分析所得結(jié)果發(fā)現(xiàn),與體材料相比,贗氫鈍化增大了量子點的帶隙,但真氫鈍化有所不同：對于寬帶隙材料,量子點帶隙反而可能會變窄.另外,我們發(fā)現(xiàn),隨著Ⅲ-Ⅴ族氮化物半導(dǎo)體共價性的增加,真氫和贗氫鈍化的量子點帶隙之間的差異會變小.這一結(jié)果大大增加了納米半導(dǎo)體性質(zhì)的可調(diào)性.
【學(xué)位授予單位】：內(nèi)蒙古大學(xué)
【學(xué)位級別】：碩士
【學(xué)位授予年份】：2016
【分類號】：O471.1

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本文編號：1156556