本文關(guān)鍵詞：Ⅲ-Ⅴ族納米線晶體管的研究進(jìn)展

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【摘要】：從器件結(jié)構(gòu)和電學(xué)特性等方面,對具有垂直結(jié)構(gòu)和水平結(jié)構(gòu)的Ⅲ-Ⅴ族納米線晶體管的最新研究進(jìn)展進(jìn)行了綜述。對于垂直器件,雖然高質(zhì)量的垂直Ⅲ-Ⅴ族納米線易于獲得,但柵極的邏輯布線難以實(shí)現(xiàn);對于水平結(jié)構(gòu)器件,雖然柵極的邏輯布線與當(dāng)前的平面硅差異不大,但無催化劑條件下難以選區(qū)定位生長水平Ⅲ-Ⅴ族納米線。硅基Ⅲ-Ⅴ族納米線晶體管不僅能有效提高溝道遷移率等性能,而且可以保證與硅工藝的兼容性,同時(shí)降低Ⅲ-Ⅴ族材料晶體管高昂的成本。研究表明,水平結(jié)構(gòu)的硅基Ⅲ-Ⅴ族納米線晶體管將具有更大的發(fā)展?jié)摿Α?br/> 【作者單位】： 中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所半導(dǎo)體集成技術(shù)工程研究中心;
【基金】：國家自然科學(xué)基金資助項(xiàng)目(61376096)
【分類號(hào)】：TN32
【正文快照】： 0引言傳統(tǒng)晶體管的特征尺寸依照摩爾定律持續(xù)減小,與之相應(yīng)的是晶體管的性能和集成度穩(wěn)步提升,并不斷推動(dòng)著微電子產(chǎn)業(yè)發(fā)展。然而,傳統(tǒng)的硅晶體管隨著技術(shù)節(jié)點(diǎn)的迭代縮減,特別是特征尺寸突破10 nm以下時(shí),短溝道效應(yīng)(short channeleffect,SCE)和漏致勢壘降低(drain inducedbarr，

本文編號(hào)：1155224