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飛秒激光脈沖數(shù)對P型HgCdTe激光打孔成結效果的影響

發(fā)布時間:2017-11-08 00:17

  本文關鍵詞:飛秒激光脈沖數(shù)對P型HgCdTe激光打孔成結效果的影響


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【摘要】:飛秒激光對p型Hg Cd Te打孔形成PN結.該實驗基于1 k Hz低重復頻率飛秒激光采用不同脈沖數(shù)在p型Hg Cd Te上打孔形成尺寸不同的微孔結構.實驗發(fā)現(xiàn)脈沖數(shù)是影響成結效果的重要參數(shù).激光誘導電流(LBIC)檢測表明,隨著脈沖數(shù)由單個增至10個,微孔側壁反型層寬度由13.5μm減小到10.5μm.當脈沖數(shù)增大至100個時,微孔LBIC信號曲線已嚴重偏離PN結所對應的正負峰對稱線形,意味著結特性趨于失效.對LBIC曲線擬合表明,單脈沖打孔形成的PN結給出最大的載流子擴散長度,約為17μm,而10個脈沖對應的環(huán)孔PN結擴散長度則減小為12μm.
【作者單位】: 上海大學理學院物理系;中國科學院上海技術物理研究所紅外物理國家重點實驗室;
【基金】:國家自然基金(61474073)~~
【分類號】:TN249
【正文快照】: PACS:81.65.Cf,78.66.Hf引言Hg Cd Te探測器在紅外技術中具有重要地位[1].PN結成結工藝屬于該探測器制備中的關鍵技術.離子刻蝕Hg Cd Te誘導的環(huán)孔PN結是重要成結方法之一,而近來研究發(fā)現(xiàn)飛秒激光對p型Hg Cd Te打孔也會形成類似結構[2-6].對此人們曾研究了飛秒激光功率、聚焦

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