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基于多染色體遺傳算法的像素化光源掩模優(yōu)化方法

發(fā)布時間:2017-11-07 17:25

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【摘要】:提出了一種基于多染色體遺傳算法(GA)的像素化光源掩模優(yōu)化(SMO)方法。該方法使用多染色體遺傳算法,實現(xiàn)了像素化光源和像素化掩模的聯(lián)合優(yōu)化。與采用矩形掩模優(yōu)化的單染色體GASMO方法相比,多染色體GASMO方法具有更高的優(yōu)化自由度,可以獲得更優(yōu)的光刻成像質(zhì)量和更快的優(yōu)化收斂速度。典型邏輯圖形的仿真實驗表明,多染色體方法得到的最優(yōu)光源和最優(yōu)掩模的適應(yīng)度值比單染色體方法小7.6%,提高了光刻成像質(zhì)量。仿真實驗還表明,多染色體方法僅需132代進(jìn)化即可得到適應(yīng)度值為5200的最優(yōu)解,比單染色體方法少127代,加快了優(yōu)化收斂速度。
【作者單位】: 中國科學(xué)院上海光學(xué)精密機(jī)械研究所信息光學(xué)與光電技術(shù)實驗室;中國科學(xué)院大學(xué);
【基金】:國家自然科學(xué)基金(61275207,61205102,61405210,61474129)
【分類號】:TN305.7
【正文快照】: 光刻是超大規(guī)模集成電路制造的關(guān)鍵技術(shù)之一[1]。光刻分辨率決定集成電路圖形的特征尺寸,影響集成電路的性能[2]。光源掩模優(yōu)化方法(SMO)同時優(yōu)化光源照明模式和掩模圖形。與傳統(tǒng)分辨率增強(qiáng)技術(shù)如光學(xué)臨近修正技術(shù)(OPC)相比,SMO具有更大的優(yōu)化自由度,是進(jìn)一步提高光刻的分辨率

【相似文獻(xiàn)】

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本文編號:1153409

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