帶宏模型的大規(guī)模集成電路互連結(jié)構(gòu)的電容提取
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更多相關(guān)文章: FRW 轉(zhuǎn)移區(qū)域 轉(zhuǎn)移概率 宏模型 邊界元方法 有限差分法
【摘要】:隨著大規(guī)模集成電路的發(fā)展,集成電路的體積逐漸縮小,金屬互連線之間的聯(lián)系越來越緊密,這就使得導體之間的耦合電容對整個電路的影響越來越明顯,甚至可能超過門電路本身,所以研究導體之間的耦合電容變得非常重要。國際上目前有一些權(quán)威的提取耦合電容的方法,比如Raphael RC3等。使用這些方法提取的電容值,結(jié)果非常精確,但是可能會花費大量的時間,或者產(chǎn)生巨大的內(nèi)存消耗,或者有一些結(jié)構(gòu),沒法使用這些權(quán)威方法進行電容提取。所以提出新方法來解決這些問題勢在必行。本論文使用懸浮隨機行走算法FRW (floating random walk)來提取導體產(chǎn)生的電容值。FRW算法是目前發(fā)展非常好的一種算法,它具有仲縮性好、內(nèi)存消耗低、精度可控制等優(yōu)點。但是隨著工藝的發(fā)展,出現(xiàn)一些新的要求,是FRW算法所不能處理或者處理結(jié)果不能滿足要求的。例如非曼哈頓型的幾何結(jié)構(gòu)的出現(xiàn)、存儲芯片(Memory IC)或者FPGA上經(jīng)常會出現(xiàn)的重復(fù)結(jié)構(gòu)等。對于上述的這些FRW算法不能精確的提取電容的情況,本論文提出一種算法來解決,即帶宏模型的懸浮隨機行走算法。對這些非曼哈頓結(jié)構(gòu)、重復(fù)結(jié)構(gòu)、具有復(fù)雜襯底、需要保密等的子結(jié)構(gòu)建立一個宏模型,然后將宏模型和FRW算法相結(jié)合來進行耦合電容提取。所謂宏模型是一個子區(qū)域內(nèi)部反映電勢和電量關(guān)系的一個矩陣,可以使用它來代替子區(qū)域中的細節(jié)。本論文提出建立宏模型的兩種方法,即邊界元法和有限差分法,論文中詳細介紹了這兩種方法。另外,本論文給出了一種通過修改高斯積分的高斯點來增加電容提取精確度的新方法。最后,論文中提出了一種新的存儲宏模型的形式,這種形式具有對稱性,所以可以通過只存儲一半的方式來減少內(nèi)存的消耗量。本論文研究了帶宏模型的懸浮隨機行走算法,提出了存儲宏模型的新形式,并采用一種新方法來提高電容提取的準確度。論文中的所有程序均使用C/C++語言在linux平臺下實現(xiàn)。程序運行新算法進行了實驗,將得到的實驗結(jié)果與使用了Raphael RC3等權(quán)威方法提取的耦合電容結(jié)果相對比,對比結(jié)果表明論文中新提出的方法在提取耦合電容的時候,不僅精度符合要求,提取的范圍更加廣泛,減小了內(nèi)存消耗,而且極大的縮短了電容提取的時間,例如對于重復(fù)結(jié)構(gòu)的例子,加速可達10X。
【學位授予單位】:北京交通大學
【學位級別】:碩士
【學位授予年份】:2016
【分類號】:TN47
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,本文編號:1147844
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