鎘類半導(dǎo)體量子點(diǎn)的光物理特性研究
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【摘要】:鎘類半導(dǎo)體量子點(diǎn)是指三個(gè)維度尺寸都在1-10 nm的鎘類半導(dǎo)體納米晶體,因具有良好發(fā)光特性而被廣泛應(yīng)用。與鎘類體相材料相比,具有量子尺寸效應(yīng)、量子限域效應(yīng)、表面效應(yīng)等特性。尤其是鎘類半導(dǎo)體量子點(diǎn)獨(dú)特的量子限域效應(yīng),使其廣泛的應(yīng)用在太陽能電池、傳感器器件、激光防護(hù)等方面。現(xiàn)在對(duì)鎘類半導(dǎo)體量子點(diǎn)的研究在材料制備、非線性光學(xué)、檢測(cè)等方面。核殼半導(dǎo)體量子點(diǎn)相比于單核半導(dǎo)體量子點(diǎn)的光學(xué)非線性特性有很大的不同。研究單核和核殼結(jié)構(gòu)鎘類半導(dǎo)體量子點(diǎn)的非線性特性,對(duì)非線性光學(xué)材料的獲得及應(yīng)用有重要意義。本文應(yīng)用top-hat Z-scan技術(shù)研在納秒和皮秒激光脈沖作用下研究了三種不同尺寸的CdTe量子點(diǎn)的非線性吸收特性。在飛秒激光脈沖作用下研究了三種不同尺寸的CdTe量子點(diǎn)及三種不同尺寸的CdS量子點(diǎn)的光學(xué)非線性特性。又在納秒和皮秒激光脈沖作用下研究了CdTe/CdS量子點(diǎn)與CdTe/ZnS量子點(diǎn)的非線性吸收特性。在飛秒激光脈沖作用下研究了CdTe/CdS量子點(diǎn)與CdTe/ZnS量子點(diǎn)的光學(xué)非線性特性。并進(jìn)行了對(duì)比研究,研究發(fā)現(xiàn):1.在納秒與皮秒激光脈沖作用下,三個(gè)尺寸的CdTe量子點(diǎn)的非線性吸收均為飽和吸收。在飛秒激光脈沖作用下,三個(gè)不同尺寸的CdTe量子點(diǎn)為飽和吸收,三個(gè)不同尺寸的CdS量子點(diǎn)為反飽和吸收。兩種量子點(diǎn)的非線性折射均表現(xiàn)為自聚焦,非線性折射系數(shù)為正。其中CdTe1量子點(diǎn)和CdS量子點(diǎn)均為雙光子吸收。研究表明隨著量子點(diǎn)尺寸的減小,其非線性特性變大。主要是由于量子限域效應(yīng)和表面效應(yīng)引起的。同時(shí)表明不同材料的鎘類半導(dǎo)體量子點(diǎn)的光學(xué)非線性特性也不同。2.在納秒、皮秒和飛秒激光脈沖作用下,CdTe/CdS量子點(diǎn)和CdTe/ZnS量子點(diǎn)的非線性吸收均為飽和吸收。在飛秒激光脈沖作用下,兩種核殼結(jié)構(gòu)量子點(diǎn)的非線性折射均表現(xiàn)為自聚焦,非線性折射率系數(shù)為正。CdTe/CdS量子點(diǎn)和CdTe/ZnS量子點(diǎn)的非線性特性基本上大于CdTe量子點(diǎn),主要是因?yàn)楹藲そY(jié)構(gòu)量子點(diǎn)的表面缺陷低于單核結(jié)構(gòu)量子點(diǎn),激子態(tài)發(fā)光占主導(dǎo)。研究表明鎘類半導(dǎo)體量子點(diǎn)的尺寸以及結(jié)構(gòu)對(duì)其非線性光學(xué)特性有影響。
【學(xué)位授予單位】:黑龍江大學(xué)
【學(xué)位級(jí)別】:碩士
【學(xué)位授予年份】:2016
【分類號(hào)】:TN304
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,本文編號(hào):1140740
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