本文關(guān)鍵詞：高分辨率硅微通道板基體制備技術(shù)

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【摘要】：微通道板是二維電子倍增器,具有高增益、低功耗、長壽命等優(yōu)點,廣泛應(yīng)用于微光夜視、光電倍增管、X射線探測等領(lǐng)域。本文研究了高分辨率硅微通道基體的制備技術(shù),探討了硅片的光刻工藝及其影響因素;介紹了硅的各向異性腐蝕機制,研究了硅誘導(dǎo)坑腐蝕技術(shù);根據(jù)歐姆接觸層制備的研究結(jié)果,對其工藝進行了優(yōu)化;在不同條件下對硅微通道陣列的形貌進行了對比分析,研究了電化學腐蝕中溫度、HF濃度對硅微通道形貌的影響,得出了最佳制備條件。高分辨率硅微通道電化學腐蝕加工機理及過程影響因素較多,工藝控制復(fù)雜,通過Comsol軟件對硅微通道建模模擬,建立仿真模型,確定仿真求解的邊界條件和主要參數(shù),在已有文獻的基礎(chǔ)上,通過對電化學腐蝕情況的假設(shè),給出了仿真求解結(jié)果。
【學位授予單位】：長春理工大學
【學位級別】：碩士
【學位授予年份】：2016
【分類號】：TN304.12

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