本文關(guān)鍵詞：紫外有機發(fā)光器件的激子形成區(qū)域優(yōu)化與摻雜調(diào)控

  更多相關(guān)文章： 紫外有機電致發(fā)光器件 載流子調(diào)控 激子 摻雜

【摘要】：采用空穴傳輸兼發(fā)光層CBP和電子傳輸兼發(fā)光層TAZ構(gòu)建了紫外有機電致發(fā)光器件(UVOLED),通過調(diào)控功能層厚度可以優(yōu)化激子形成區(qū)域,進而改善器件性能。實驗結(jié)果表明:CBP厚度的變化對器件性能影響甚微,而TAZ厚度變化則有顯著影響。當CBP和TAZ厚度分別為50 nm和30 nm時,獲得了最大輻照度為4.4 m W/cm2@270 m A/cm2、外量子效率(EQE)為0.94%@12.5 m A/cm2,發(fā)光來自于CBP主發(fā)光峰~410nm以及TAZ肩峰~380 nm的UVOLED器件。在此基礎(chǔ)上,通過在CBP/TAZ界面引入超薄[CBP∶TAZ]摻雜層可以加速激子復(fù)合,降低器件驅(qū)動電壓,同時還有利于改善載流子平衡性,提高發(fā)光效率(最大EQE達到了0.97%@20 m A/cm2)而不影響光譜特性。
【作者單位】： 桂林電子科技大學廣西信息材料重點實驗室;廣西信息科學實驗中心;電子科技大學中山學院電子薄膜與集成器件國家重點實驗室中山分室;上海大學新型顯示技術(shù)及應(yīng)用集成教育部重點實驗室;
【關(guān)鍵詞】： 紫外有機電致發(fā)光器件 載流子調(diào)控 激子 摻雜
【基金】：國家自然科學基金(61275041;61565003) 廣西教育廳重點項目(KY2015ZD046) 中山市科技計劃(2014A2FC305;2014A2FC306)資助項目
【分類號】：TN383.1
【正文快照】： 4.上海大學新型顯示技術(shù)及應(yīng)用集成教育部重點實驗室,上海200072)1引言紫外有機發(fā)光器件(UVOLED)融合了機械柔性和大面積、低成本制造特點,在高密度信息存儲和激發(fā)光源等領(lǐng)域展現(xiàn)出獨特的應(yīng)用前景,成為當前有機發(fā)光的新型研究方向之一。在現(xiàn)有為數(shù)不多的UVOLED報道中,重點圍繞

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本文編號：1130211