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基于SOI的16通道200GHz陣列波導(dǎo)光柵

發(fā)布時(shí)間:2017-10-31 17:51

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【摘要】:設(shè)計(jì)并制作了基于絕緣體上硅(SOI)材料的1×16陣列波導(dǎo)光柵(AWG)。該AWG器件的中心波長(zhǎng)為1 550nm,信道間隔為200GHz,采用了脊型波導(dǎo)結(jié)構(gòu)。首先確定了波導(dǎo)的結(jié)構(gòu)尺寸以保證單模傳輸,并利用束傳播法(BPM)模擬了波導(dǎo)間隔、彎曲半徑和錐形波導(dǎo)長(zhǎng)度等參數(shù)對(duì)器件性能的影響,對(duì)器件結(jié)構(gòu)進(jìn)行了優(yōu)化,同時(shí)也利用BPM方法模擬了器件的傳輸譜。模擬結(jié)果顯示:器件的最小信道損耗為4.64dB,串?dāng)_小于-30dB。根據(jù)優(yōu)化的器件結(jié)構(gòu),通過光刻等半導(dǎo)體工藝制作了AWG,經(jīng)測(cè)試得到AWG器件的損耗為4.52~8.1dB,串?dāng)_為17~20dB,能夠?qū)崿F(xiàn)良好的波分復(fù)用/解復(fù)用功能。
【作者單位】: 河南仕佳光子科技有限公司;中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所集成光電子學(xué)國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室;
【關(guān)鍵詞】陣列波導(dǎo)光柵 波分復(fù)用 絕緣體上硅 單片集成
【基金】:國(guó)家“863”計(jì)劃項(xiàng)目(2013AA031402)
【分類號(hào)】:TN252
【正文快照】: 2.中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所集成光電子學(xué)國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室,北京100083)0引言陣列波導(dǎo)光柵(AWG)[1]作為波分復(fù)用/解復(fù)用器件被廣泛應(yīng)用于波分復(fù)用(WDM)系統(tǒng)中。SOI材料上器件的制作由于與CMOS工藝兼容,同時(shí)近年來硅基光電子器件如激光器[2-5]、可調(diào)光衰減器[6-7]、調(diào)制器[8-9]及光

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