界面過渡層對(duì)黃光OLED發(fā)光性能的影響研究
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更多相關(guān)文章: 黃光OLED 過渡層 界面效應(yīng) 電致發(fā)光(EL) 顯示器件
【摘要】:研究了黃光OLED發(fā)光層間加入界面過渡層對(duì)OLED發(fā)光性能的影響。實(shí)驗(yàn)制備新型黃光OLED的發(fā)光層結(jié)構(gòu)為CBP:R-4B/CBP:Girl:R-4B/CBP:GIrl,對(duì)比OLED的發(fā)光層結(jié)構(gòu)為CBP:10%R-4B/CBP:10%GIrl、CBP:10%GIrl/CBP:10%GIrl10%R-4B/CBP:10%R-4B和CBP:10%GIrl/CBP:10%R-4B。結(jié)果表明,在對(duì)比器件的發(fā)光層界面間加入過渡層可顯著提高器件的發(fā)光亮度和發(fā)光效率,新型器件在13V電壓下、電流密度為40.29mA/cm2時(shí),發(fā)光亮度和發(fā)光效率分別達(dá)到了11 120cd/m2與27.59cd/A,較未加入過渡層的器件分別提高了265%和56.18%。分析認(rèn)為,過渡層的加入消除了由不同發(fā)光層間嚴(yán)格的界面效應(yīng)而造成的界面缺陷,增加了載流子傳輸速率與激子的復(fù)合效率,從而提升了器件的發(fā)光性能。
【作者單位】: 陜西科技大學(xué)理學(xué)院;
【關(guān)鍵詞】: 黃光OLED 過渡層 界面效應(yīng) 電致發(fā)光(EL) 顯示器件
【基金】:國(guó)家自然科學(xué)基金(61076066) 陜西省科技統(tǒng)籌創(chuàng)新工程計(jì)劃(2011KTCQ01-09)資助項(xiàng)目
【分類號(hào)】:TN383.1
【正文快照】: 1引言O(shè)LED由于其相比于其他顯示器件具有自發(fā)光、視角范圍大、能夠?qū)崿F(xiàn)全色顯示和綠色環(huán)保等特點(diǎn),受到重視[1~6]。黃光作為藍(lán)光OLED的輔助光色,其發(fā)光性能的優(yōu)劣直接影響著白光OLED的應(yīng)用。目前,通過物理手段進(jìn)行光萃取,最大程度上減少光子損失的技術(shù)已相當(dāng)成熟。然而,通過提
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1 張鵬展;沈明榮;徐俞;;二氧化鈦過渡層對(duì)脈沖激光沉積鈦酸鍶鋇薄膜微結(jié)構(gòu)和介電性質(zhì)的影響[J];功能材料與器件學(xué)報(bào);2008年06期
2 嚴(yán)學(xué)儉;TiC/i-C復(fù)合硬質(zhì)膜的過渡層界面和特性的研究(英文)[J];功能材料與器件學(xué)報(bào);2001年03期
3 張小英;陳松巖;賴虹凱;李成;余金中;;利用金屬過渡層低溫鍵合硅晶片[J];半導(dǎo)體學(xué)報(bào);2007年02期
4 馬曉翠,閆大衛(wèi),吳軍,王宗昌,鄒慧珠;SnO_2/Fe_2O_3多層薄膜界面過渡層的性質(zhì)及其形成機(jī)制研究[J];半導(dǎo)體學(xué)報(bào);1993年06期
5 黎向鋒,左敦穩(wěn),王珉;通過過渡層改善金剛石膜和基底間的結(jié)合性能[J];材料開發(fā)與應(yīng)用;2000年01期
6 史振江;陳祖輝;;用R-DCIV方法研究MOST過渡層影響[J];現(xiàn)代電子技術(shù);2010年06期
7 孫承永;V.V.巴拉諾夫;M.I.皮庫(kù)爾;V.A.澤連可夫;S.N.維堅(jiān)奇克;;Pd合金/Si接觸過渡層的結(jié)構(gòu)組分研究[J];西安電子科技大學(xué)學(xué)報(bào);1992年02期
8 李冬梅,王旭波,潘峰,牛潔斌,劉明;Zr過渡層對(duì)Al膜微結(jié)構(gòu)與性能的影響[J];壓電與聲光;2005年02期
9 趙佰軍,楊樹人,繆國(guó)慶,朱景義,元金山;MOVPE生長(zhǎng)GaN過渡層的AFM分析[J];固體電子學(xué)研究與進(jìn)展;1998年03期
10 孫林林;劉宏玉;程文娟;馬學(xué)鳴;石旺舟;;在Si(100)上以AlN作過渡層低溫外延生長(zhǎng)ZnO薄膜[J];人工晶體學(xué)報(bào);2005年06期
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1 孫喜蓮;徐學(xué)科;邵建達(dá);;鉻過渡層對(duì)銀膜的微結(jié)構(gòu)、光學(xué)性質(zhì)及附著力的影響[A];上海市激光學(xué)會(huì)2005年學(xué)術(shù)年會(huì)論文集[C];2005年
2 譚紅琳;王雪雯;;GaAs與Si之間過渡層的設(shè)計(jì)及其分析[A];第五屆中國(guó)功能材料及其應(yīng)用學(xué)術(shù)會(huì)議論文集Ⅱ[C];2004年
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1 張小英;利用金屬過渡層鍵合Si/Si、Si/GaN的研究[D];廈門大學(xué);2007年
,本文編號(hào):1122949
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