本文關鍵詞：總劑量效應致0.13μm部分耗盡絕緣體上硅N型金屬氧化物半導體場效應晶體管熱載流子增強效應

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【摘要】：空間科學的進步對航天用電子器件提出了更高的性能需求,絕緣體上硅(SOI)技術由此進入空間科學領域,這使得器件的應用面臨深空輻射環(huán)境與地面常規(guī)可靠性的雙重挑戰(zhàn).進行SOI N型金屬氧化物半導體場效應晶體管電離輻射損傷對熱載流子可靠性的影響研究,有助于對SOI器件空間應用的綜合可靠性進行評估.通過預輻照和未輻照、不同溝道寬長比的器件熱載流子試驗結果對比,發(fā)現(xiàn)總劑量損傷導致熱載流子損傷增強效應,機理分析表明該效應是STI輻射感生電場增強溝道電子空穴碰撞電離率所引起.與未輻照器件相比,預輻照器件在熱載流子試驗中的襯底電流明顯增大,器件的轉移特性曲線、輸出特性曲線、跨導特性曲線以及關鍵電學參數(shù)V_T,GM_(max),ID_(SAT)退化較多.本文還對寬溝道器件測試中襯底電流減小以及不連續(xù)這一特殊現(xiàn)象進行了討論.
【作者單位】： 中國科學院特殊環(huán)境功能材料與器件重點實驗室 新疆電子信息材料與器件重點實驗室 中國科學院新疆理化技術研究所;新疆電子信息材料與器件重點實驗室;中國科學院大學;
【關鍵詞】： 絕緣體上硅 電離輻射 熱載流子
【基金】：國家自然科學基金(批準號:11475255)資助的課題~~
【分類號】：TN386
【正文快照】： 1引言航天用電子元器件在實際應用中面臨著復雜且惡劣的太空輻射環(huán)境,其可靠性問題顯得異常突出;航天飛行器昂貴的造價、巨大的社會影響力以及無法修復性,使得器件可靠性成為設計制造須考慮的最重要的因素[1,2].因此,開展應用于空間電子系統(tǒng)的元器件、特別是新型元器件的可靠

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本文編號：1122117