一種簡化襯底模型的SOI MOS變?nèi)莨苣Ｐ?/H1>
發(fā)布時間：2017-10-31 08:12
本文關(guān)鍵詞：一種簡化襯底模型的SOI MOS變?nèi)莨苣Ｐ?/strong>
更多相關(guān)文章： SOI MOS變?nèi)莨?/b> 簡化襯底模型 數(shù)據(jù)擬合 參數(shù)提取算法
【摘要】：提出一種適用于反型層RF SOI MOS變?nèi)莨苄袨楸碚髂Ｐ�。在BSIMSOI的基礎(chǔ)上,模型采用簡化的襯底模型和外圍射頻寄生模型來表征變?nèi)莨艿纳漕l寄生效應(yīng),同時采用T、π互轉(zhuǎn)的方式提出參數(shù)提取算法。模型最終應(yīng)用到華虹宏力SOI工藝提供的不同柵指,每柵指長度為1.6μm、寬度為5μm的MOS變?nèi)莨芷骷?并且在15 GHz以下,模型與測量數(shù)據(jù)的CV、QV以及S參數(shù)有較好的擬合。在高頻情況下,模型既保證了精度又解決了參數(shù)提取困難等問題。
【作者單位】： 杭州電子科技大學CAD研究所;
【關(guān)鍵詞】： SOI MOS變?nèi)莨?/strong> 簡化襯底模型 數(shù)據(jù)擬合 參數(shù)提取算法
【基金】：國家自然科學基金項目(61372021)
【分類號】：TN386.1
【正文快照】： 隨著4G時代的到來,VCO電路的性能在通信系統(tǒng)中起著至關(guān)重要的作用,尤其是在頻率捷變雷達、掃頻干擾、精確測速、測距等設(shè)備中[1]。由于變?nèi)莨芷骷腃V和QV特性對VCO電路有重要的影響,因此國內(nèi)外對變?nèi)莨艿囊笤絹碓礁?尤其是在當今RF應(yīng)用頻率持續(xù)提高的條件下。近年來,國內(nèi)外 【相似文獻】
中國期刊全文數(shù)據(jù)庫 前10條
1 田牧;平面擴散砷化鎵變?nèi)莨躘J];半導體學報;1980年03期
2 洪月新,翁壽松;甚高頻電調(diào)諧變?nèi)莨芗捌涮匦苑治鯷J];半導體技術(shù);1981年02期
3 馮典;;變?nèi)莨苷{(diào)諧預(yù)選器設(shè)計探討[J];電子技術(shù);1981年01期
4 翁壽松;;硅調(diào)諧變?nèi)莨芗捌鋺?yīng)用[J];電子元器件應(yīng)用;2001年05期
5 成眾志 ,何希哲;變?nèi)莨艿姆蔷�性性能及時變參量的分析[J];物理學報;1965年03期
6 劉合一;;360°變?nèi)莨芫�性調(diào)相器[J];無線電工程譯文;1973年02期
7 江關(guān)輝;“P~+-N結(jié)正向勢壘電容異常變化”變?nèi)莨苣Ｐ偷淖罴鸦痆J];固體電子學研究與進展;1984年04期
8 翁壽松;;硅調(diào)頻變?nèi)莨芗捌鋺?yīng)用[J];電子元器件應(yīng)用;2001年07期
9 朱以南;;寬帶變?nèi)莨苷{(diào)諧的典型耿氏電路[J];微電子學;1973年04期
10 洪月新,翁壽松;特高頻電調(diào)諧變?nèi)莨芗捌鋺?yīng)用[J];半導體技術(shù);1983年01期
中國重要會議論文全文數(shù)據(jù)庫 前4條
1 柴慈均;;硅微波雙電調(diào)變?nèi)莨艿难兄芠A];1991年全國微波會議論文集（卷Ⅱ）[C];1991年
2 姜遵富;;介質(zhì)腔變?nèi)莨苷{(diào)諧的分析和計算[A];1995年全國微波會議論文集（上冊）[C];1995年
3 林雄生;張家誠;;同軸腔變?nèi)莨苷{(diào)諧耿氏振蕩器[A];1991年全國微波會議論文集（卷Ⅱ）[C];1991年
4 夏立誠;王文騏;胡嘉杰;;基于BSIM3模型的毫米波MOS變?nèi)莨芙A];2007年全國微波毫米波會議論文集（上冊）[C];2007年
中國博士學位論文全文數(shù)據(jù)庫 前1條
1 王少華;全數(shù)控CMOS LC振蕩器的研究與設(shè)計[D];清華大學;2007年
中國碩士學位論文全文數(shù)據(jù)庫 前3條
1 宋陽;高耐壓BST薄膜介質(zhì)變?nèi)莨苎芯縖D];電子科技大學;2014年
2 熊年登;壓控振蕩器用BST薄膜及其變?nèi)莨芪⒓毤庸ぱ芯縖D];電子科技大學;2009年
3 施宏;Ka波段VCO設(shè)計[D];南京理工大學;2005年
，
本文編號：1121510
本文鏈接：http://sikaile.net/kejilunwen/dianzigongchenglunwen/1121510.html
本文關(guān)鍵詞：一種簡化襯底模型的SOI MOS變?nèi)莨苣Ｐ?/strong>
更多相關(guān)文章： SOI MOS變?nèi)莨?/b> 簡化襯底模型 數(shù)據(jù)擬合 參數(shù)提取算法
【摘要】：提出一種適用于反型層RF SOI MOS變?nèi)莨苄袨楸碚髂Ｐ�。在BSIMSOI的基礎(chǔ)上,模型采用簡化的襯底模型和外圍射頻寄生模型來表征變?nèi)莨艿纳漕l寄生效應(yīng),同時采用T、π互轉(zhuǎn)的方式提出參數(shù)提取算法。模型最終應(yīng)用到華虹宏力SOI工藝提供的不同柵指,每柵指長度為1.6μm、寬度為5μm的MOS變?nèi)莨芷骷?并且在15 GHz以下,模型與測量數(shù)據(jù)的CV、QV以及S參數(shù)有較好的擬合。在高頻情況下,模型既保證了精度又解決了參數(shù)提取困難等問題。
【作者單位】： 杭州電子科技大學CAD研究所;
【關(guān)鍵詞】： SOI MOS變?nèi)莨?/strong> 簡化襯底模型 數(shù)據(jù)擬合 參數(shù)提取算法
【基金】：國家自然科學基金項目(61372021)
【分類號】：TN386.1
【正文快照】： 隨著4G時代的到來,VCO電路的性能在通信系統(tǒng)中起著至關(guān)重要的作用,尤其是在頻率捷變雷達、掃頻干擾、精確測速、測距等設(shè)備中[1]。由于變?nèi)莨芷骷腃V和QV特性對VCO電路有重要的影響,因此國內(nèi)外對變?nèi)莨艿囊笤絹碓礁?尤其是在當今RF應(yīng)用頻率持續(xù)提高的條件下。近年來,國內(nèi)外
【相似文獻】
中國期刊全文數(shù)據(jù)庫 前10條
1 田牧;平面擴散砷化鎵變?nèi)莨躘J];半導體學報;1980年03期
2 洪月新,翁壽松;甚高頻電調(diào)諧變?nèi)莨芗捌涮匦苑治鯷J];半導體技術(shù);1981年02期
3 馮典;;變?nèi)莨苷{(diào)諧預(yù)選器設(shè)計探討[J];電子技術(shù);1981年01期
4 翁壽松;;硅調(diào)諧變?nèi)莨芗捌鋺?yīng)用[J];電子元器件應(yīng)用;2001年05期
5 成眾志 ,何希哲;變?nèi)莨艿姆蔷�性性能及時變參量的分析[J];物理學報;1965年03期
6 劉合一;;360°變?nèi)莨芫�性調(diào)相器[J];無線電工程譯文;1973年02期
7 江關(guān)輝;“P~+-N結(jié)正向勢壘電容異常變化”變?nèi)莨苣Ｐ偷淖罴鸦痆J];固體電子學研究與進展;1984年04期
8 翁壽松;;硅調(diào)頻變?nèi)莨芗捌鋺?yīng)用[J];電子元器件應(yīng)用;2001年07期
9 朱以南;;寬帶變?nèi)莨苷{(diào)諧的典型耿氏電路[J];微電子學;1973年04期
10 洪月新,翁壽松;特高頻電調(diào)諧變?nèi)莨芗捌鋺?yīng)用[J];半導體技術(shù);1983年01期
中國重要會議論文全文數(shù)據(jù)庫 前4條
1 柴慈均;;硅微波雙電調(diào)變?nèi)莨艿难兄芠A];1991年全國微波會議論文集（卷Ⅱ）[C];1991年
2 姜遵富;;介質(zhì)腔變?nèi)莨苷{(diào)諧的分析和計算[A];1995年全國微波會議論文集（上冊）[C];1995年
3 林雄生;張家誠;;同軸腔變?nèi)莨苷{(diào)諧耿氏振蕩器[A];1991年全國微波會議論文集（卷Ⅱ）[C];1991年
4 夏立誠;王文騏;胡嘉杰;;基于BSIM3模型的毫米波MOS變?nèi)莨芙A];2007年全國微波毫米波會議論文集（上冊）[C];2007年
中國博士學位論文全文數(shù)據(jù)庫 前1條
1 王少華;全數(shù)控CMOS LC振蕩器的研究與設(shè)計[D];清華大學;2007年
中國碩士學位論文全文數(shù)據(jù)庫 前3條
1 宋陽;高耐壓BST薄膜介質(zhì)變?nèi)莨苎芯縖D];電子科技大學;2014年
2 熊年登;壓控振蕩器用BST薄膜及其變?nèi)莨芪⒓毤庸ぱ芯縖D];電子科技大學;2009年
3 施宏;Ka波段VCO設(shè)計[D];南京理工大學;2005年
，本文編號：1121510
本文鏈接：http://sikaile.net/kejilunwen/dianzigongchenglunwen/1121510.html
