導(dǎo)納譜法研究有機(jī)半導(dǎo)體的界面陷阱自由能,前置因子和陷阱態(tài)密度
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【摘要】:導(dǎo)納譜法是在不同邊界條件下,根據(jù)空間電荷限制電流理論,推導(dǎo)并建立的描述有機(jī)半導(dǎo)體傳輸機(jī)制的理論模型。本文用導(dǎo)納譜法來(lái)研究結(jié)構(gòu)相似的有機(jī)半導(dǎo)體厚度依賴的載流子遷移率、場(chǎng)依賴因子、陷阱態(tài)等內(nèi)容。對(duì)導(dǎo)納譜法的理論模型、場(chǎng)依賴因子、陷阱態(tài)的理論模型進(jìn)行較為深入的研究,最后通過(guò)有機(jī)半導(dǎo)體材料的器件實(shí)驗(yàn)完善這些理論模型。主要的內(nèi)容如下:(1)闡述導(dǎo)納譜學(xué)的方法、原理等,介紹了常用的載流子傳輸機(jī)制、遷移率模型,總結(jié)了無(wú)陷阱時(shí)單載流子導(dǎo)納模型、載流子以指數(shù)形式分布下的單載流子導(dǎo)納模型、遷移率與載流子濃度有關(guān)時(shí)的導(dǎo)納模型、分析界面態(tài)下的導(dǎo)納模型,并將其應(yīng)用在遷移率、定域態(tài)、負(fù)電容方面。(2)制備兩種有機(jī)半導(dǎo)體器件ITO/NPB(50nm-800nm)/Al,ITO/TPD(50nm-800nm)/Al,阻抗譜儀測(cè)量阻抗信息,并運(yùn)用粒子群算法獲得兩種有機(jī)材料的載流子遷移率與厚度之間的聯(lián)系。數(shù)據(jù)結(jié)果顯示,電荷載流子遷移率與厚度有關(guān)。有機(jī)半導(dǎo)體層厚度增加時(shí),遷移率也增加,到達(dá)600nm時(shí),遷移率趨于穩(wěn)定值。通過(guò)AFM、XRD實(shí)驗(yàn)結(jié)果排除了薄膜表面形貌、結(jié)晶對(duì)遷移率的影響。從熱力學(xué)角度提出了界面陷阱自由能來(lái)解釋厚度依賴的載流子遷移率。(3)影響遷移率的因素成分有很多,如載流子濃度、施加的電場(chǎng)強(qiáng)度、實(shí)驗(yàn)室溫度、氣壓、有機(jī)材料的分子取向和純度等。場(chǎng)依賴因子、零電場(chǎng)遷移率是經(jīng)驗(yàn)方程Poole-Frenkel(P-F)的重要參數(shù)。詳細(xì)描述場(chǎng)依賴因子的研究現(xiàn)狀,對(duì)Poole-Frenkel方程的兩個(gè)物理參數(shù)進(jìn)行研究探討,研究其與厚度依賴的遷移率的內(nèi)在聯(lián)系。(4)詳細(xì)推導(dǎo)陷阱態(tài)導(dǎo)納模型,并用導(dǎo)納譜法研究本課題組新合成的有機(jī)半導(dǎo)體高效藍(lán)光材料Ph TPFOR和DPh DPFOR。通過(guò)電容-電壓曲線的擬合和Mott-Schottky公式的推導(dǎo),分析得到了兩種材料的陷阱態(tài)濃度。用導(dǎo)納譜法研究結(jié)構(gòu)類似的有機(jī)半導(dǎo)體材料的陷阱態(tài)濃度,為影響器件效率、壽命等的研究提供更簡(jiǎn)單、有效的方法。
【關(guān)鍵詞】:導(dǎo)納譜 遷移率 界面陷阱自由能 場(chǎng)依賴因子 陷阱態(tài)
【學(xué)位授予單位】:南京郵電大學(xué)
【學(xué)位級(jí)別】:碩士
【學(xué)位授予年份】:2016
【分類號(hào)】:TN304.5
【目錄】:
- 摘要4-5
- Abstract5-8
- 第一章 緒論8-16
- 1.1 引言8-9
- 1.2 有機(jī)半導(dǎo)體電荷載流子物理傳輸機(jī)制9-14
- 1.3 有機(jī)半導(dǎo)體的電荷載流子遷移率模型14
- 1.4 本課題的研究?jī)?nèi)容、創(chuàng)新點(diǎn)及意義14-16
- 第二章 相關(guān)背景知識(shí)介紹16-27
- 2.1 導(dǎo)納譜原理16-17
- 2.2 導(dǎo)納譜物理模型17-20
- 2.2.1 單載流子無(wú)陷阱傳輸?shù)膶?dǎo)納模型18
- 2.2.2 單載流子且陷阱以指數(shù)分布的導(dǎo)納物理模型18-19
- 2.2.3 載流子濃度下的理論導(dǎo)納模型19
- 2.2.4 考慮存在界面態(tài)時(shí)的導(dǎo)納模型19-20
- 2.3 導(dǎo)納譜的具體應(yīng)用20-25
- 2.3.1 確定有機(jī)材料電荷載流子的遷移率大小20-23
- 2.3.2 有機(jī)半導(dǎo)體材料的定域態(tài)分布23-25
- 2.3.3 有機(jī)半導(dǎo)體的負(fù)電容現(xiàn)象25
- 2.4 其他應(yīng)用25-27
- 第三章 導(dǎo)納譜法研究有機(jī)半導(dǎo)體厚度依賴的遷移率27-36
- 3.1 引言27-28
- 3.2 理論模型28-30
- 3.2.1 實(shí)驗(yàn)原料與儀器29
- 3.2.2 實(shí)驗(yàn)步驟29-30
- 3.3 結(jié)果與討論30-35
- 3.4 本章小結(jié)35-36
- 第四章 場(chǎng)依賴因子的研究36-42
- 4.1 引言36-37
- 4.2 研究現(xiàn)狀37-40
- 4.3 實(shí)驗(yàn)部分40-41
- 4.4 本章小結(jié)41-42
- 第五章 導(dǎo)納譜法研究新材料的陷阱態(tài)42-51
- 5.1 引言42-43
- 5.2 陷阱態(tài)導(dǎo)納模型理論推導(dǎo)43-48
- 5.2.1 陷阱態(tài)的占據(jù)與對(duì)結(jié)導(dǎo)納的貢獻(xiàn)43-44
- 5.2.2 陷阱對(duì)結(jié)的有效性44-46
- 5.2.3 結(jié)中陷阱對(duì)電容的貢獻(xiàn)46-48
- 5.3 實(shí)驗(yàn)部分48-49
- 5.4 結(jié)果與討論49-50
- 5.5 本章小結(jié)50-51
- 第六章 總結(jié)與展望51-52
- 參考文獻(xiàn)52-58
- 附錄1 攻讀碩士學(xué)位期間撰寫(xiě)的論文58-59
- 附錄2 攻讀碩士學(xué)位期間申請(qǐng)的專利59-60
- 附錄3 攻讀碩士學(xué)位期間參加的科研項(xiàng)目60-61
- 致謝61
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,本文編號(hào):1120791
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