本文關(guān)鍵詞：鐵在冶金級硅低速定向凝固過程中的再分布（英文）

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【摘要】：研究冶金級硅低速定向凝固過程中雜質(zhì)鐵的再分布。采用ICP-MS檢測鐵的濃度,繪制鐵在固相、液相、晶界和晶體生長方向上的濃度示意圖。鐵濃度在固、液相中具有明顯差異。依據(jù)質(zhì)量守恒定理,計算得出溶質(zhì)邊界層約為4 mm,鐵的有效分凝系數(shù)約為2.98×10~(-4)。在低速凝固條件下,鐵容易偏析聚集在晶界。在生長方向上,由于低速凝固,鐵濃度在硅錠86%高度以下幾乎恒定,不完全符合Scheil方程規(guī)律。討論了對流對鐵再分布的影響,對流"死區(qū)"對鐵再分布具有重要影響。
【作者單位】： 廈門大學材料系福建省特種先進材料重點實驗室;大連理工大學材料科學與工程學院;青島隆盛晶硅科技有限公司;
【關(guān)鍵詞】： 定向凝固 冶金級硅 再分布 鐵 晶界
【基金】：Projects(51334004,51204143)supported by the National Natural Science Foundation of China Project(2006L2003)supported by the Scientific Technological Innovation Platform of Fujian Province,China
【分類號】：TN304.12
【正文快照】： 1 IntroductionIn order to meet the remarkable development ofphotovoltaic industry,cost-effective ways to manufacturemulti-crystalline silicon must be applied.Because of thehigh purification requirement of solar cells,siliconrefining is meaningful and imp

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5 李R，

本文編號：1120006