本文關(guān)鍵詞：場截止溝道IGBT裂片的失效機理及改進方案

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【摘要】：半導(dǎo)體的發(fā)明是人類在二十世紀最偉大的創(chuàng)舉,它不僅提高了生產(chǎn)效率和勞動效率,而且它悄無聲息地改變著人類的生活方式和生產(chǎn),推動著產(chǎn)業(yè)的革新。飛兆半導(dǎo)體場截止溝道IGBT是隨著IGBT技術(shù)的發(fā)展和對IGBT更高的運用需求上應(yīng)運而生,場截止溝道IGBT是公司第三代IGBT,其厚度為73μm,因此在芯片的貼裝的時候?qū)ζ淞哑目刂埔绕渌男酒獓栏竦亩�。本論文首先對場截止溝道IGBT,UV膜進行介紹,然后通過封裝工藝制程中的紫外光照射,頂針等方面分析,找出芯片裂片的根本原因,并通過對異種芯片種類的硬度、UV膜照射和頂針設(shè)置的實驗設(shè)計(Design of Experiments),發(fā)現(xiàn)問題并提出解決方案,最后通過對各實驗設(shè)計解決方案的綜合分析,提出通過延長紫外光照射時間和使用薄芯片機構(gòu)方案的方案降低這種芯片0.8%左右的裂片率。本論文的意義在于在不改變現(xiàn)有設(shè)備的條件下,通過紫外線照射時長的延長和引入全新的薄芯片機構(gòu)使貼片工藝更加完善和可靠。
【關(guān)鍵詞】：場截止溝道IGBT 裂片 UV膜 實驗設(shè)計 薄芯片機構(gòu)
【學位授予單位】：蘇州大學
【學位級別】：碩士
【學位授予年份】：2016
【分類號】：TN322.8
【目錄】：

• 中文摘要4-5
• Abstract5-8
• 第一章 緒論8-13
• 1.1 課題概述8-9
• 1.1.1 課題來源8-9
• 1.2 基本概念9-10
• 1.2.1 貼片工藝9
• 1.2.2 裂片的概述及裂片機理9-10
• 1.3 實驗設(shè)計10
• 1.4 研究的方向和流程10-11
• 1.5 本課題主要工作11-13
• 1.5.1 主要研究工作及思路11
• 1.5.2 本文的組織架構(gòu)及創(chuàng)新點11-13
• 第二章 場截止溝道IGBT、UV膜和頂針機構(gòu)的介紹13-17
• 2.1 場截止溝道IGBT13-14
• 2.2 UV膜的構(gòu)造14-15
• 2.3 頂針機構(gòu)的介紹15-17
• 第三章 對于異種芯片的實驗設(shè)計17-25
• 3.1 引言17
• 3.2 異種芯片實驗設(shè)計方案17-20
• 3.2.1 抗斷強度理論17-20
• 3.3 實驗結(jié)果及分析20-24
• 3.4 實驗設(shè)計結(jié)論24-25
• 第四章 對于UV膜參數(shù)優(yōu)化的實驗設(shè)計25-36
• 4.1 引言25
• 4.2 UV膜的實驗設(shè)計方案25-29
• 4.2.1 紫外光照射時間的實驗設(shè)計25-29
• 4.3 紫外光照射時間的實驗設(shè)計裂片組現(xiàn)象機理分析29-35
• 4.4 UV膜實驗設(shè)計結(jié)論35-36
• 第五章 對于貼片頂針的實驗設(shè)計36-46
• 5.1 引言36
• 5.2 頂針的實驗設(shè)計方案36-40
• 5.2.1 頂針機構(gòu)的實驗設(shè)計36-39
• 5.2.2 拾取頭的分析39-40
• 5.3 頂針實驗設(shè)計的結(jié)論40-46
• 第六章 實驗設(shè)計的總結(jié)46-48
• 6.1 引言46
• 6.2 實驗設(shè)計總結(jié)46
• 6.3 解決方案的可靠性確認46-47
• 6.4 展望47-48
• 參考文獻48-49
• 致謝49

【參考文獻】

中國期刊全文數(shù)據(jù)庫 前2條

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中國博士學位論文全文數(shù)據(jù)庫 前2條

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本文編號：1119425