場(chǎng)截止溝道IGBT裂片的失效機(jī)理及改進(jìn)方案
發(fā)布時(shí)間:2017-10-30 21:28
本文關(guān)鍵詞:場(chǎng)截止溝道IGBT裂片的失效機(jī)理及改進(jìn)方案
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【摘要】:半導(dǎo)體的發(fā)明是人類在二十世紀(jì)最偉大的創(chuàng)舉,它不僅提高了生產(chǎn)效率和勞動(dòng)效率,而且它悄無(wú)聲息地改變著人類的生活方式和生產(chǎn),推動(dòng)著產(chǎn)業(yè)的革新。飛兆半導(dǎo)體場(chǎng)截止溝道IGBT是隨著IGBT技術(shù)的發(fā)展和對(duì)IGBT更高的運(yùn)用需求上應(yīng)運(yùn)而生,場(chǎng)截止溝道IGBT是公司第三代IGBT,其厚度為73μm,因此在芯片的貼裝的時(shí)候?qū)ζ淞哑目刂埔绕渌男酒獓?yán)格的多。本論文首先對(duì)場(chǎng)截止溝道IGBT,UV膜進(jìn)行介紹,然后通過封裝工藝制程中的紫外光照射,頂針等方面分析,找出芯片裂片的根本原因,并通過對(duì)異種芯片種類的硬度、UV膜照射和頂針設(shè)置的實(shí)驗(yàn)設(shè)計(jì)(Design of Experiments),發(fā)現(xiàn)問題并提出解決方案,最后通過對(duì)各實(shí)驗(yàn)設(shè)計(jì)解決方案的綜合分析,提出通過延長(zhǎng)紫外光照射時(shí)間和使用薄芯片機(jī)構(gòu)方案的方案降低這種芯片0.8%左右的裂片率。本論文的意義在于在不改變現(xiàn)有設(shè)備的條件下,通過紫外線照射時(shí)長(zhǎng)的延長(zhǎng)和引入全新的薄芯片機(jī)構(gòu)使貼片工藝更加完善和可靠。
【關(guān)鍵詞】:場(chǎng)截止溝道IGBT 裂片 UV膜 實(shí)驗(yàn)設(shè)計(jì) 薄芯片機(jī)構(gòu)
【學(xué)位授予單位】:蘇州大學(xué)
【學(xué)位級(jí)別】:碩士
【學(xué)位授予年份】:2016
【分類號(hào)】:TN322.8
【目錄】:
- 中文摘要4-5
- Abstract5-8
- 第一章 緒論8-13
- 1.1 課題概述8-9
- 1.1.1 課題來源8-9
- 1.2 基本概念9-10
- 1.2.1 貼片工藝9
- 1.2.2 裂片的概述及裂片機(jī)理9-10
- 1.3 實(shí)驗(yàn)設(shè)計(jì)10
- 1.4 研究的方向和流程10-11
- 1.5 本課題主要工作11-13
- 1.5.1 主要研究工作及思路11
- 1.5.2 本文的組織架構(gòu)及創(chuàng)新點(diǎn)11-13
- 第二章 場(chǎng)截止溝道IGBT、UV膜和頂針機(jī)構(gòu)的介紹13-17
- 2.1 場(chǎng)截止溝道IGBT13-14
- 2.2 UV膜的構(gòu)造14-15
- 2.3 頂針機(jī)構(gòu)的介紹15-17
- 第三章 對(duì)于異種芯片的實(shí)驗(yàn)設(shè)計(jì)17-25
- 3.1 引言17
- 3.2 異種芯片實(shí)驗(yàn)設(shè)計(jì)方案17-20
- 3.2.1 抗斷強(qiáng)度理論17-20
- 3.3 實(shí)驗(yàn)結(jié)果及分析20-24
- 3.4 實(shí)驗(yàn)設(shè)計(jì)結(jié)論24-25
- 第四章 對(duì)于UV膜參數(shù)優(yōu)化的實(shí)驗(yàn)設(shè)計(jì)25-36
- 4.1 引言25
- 4.2 UV膜的實(shí)驗(yàn)設(shè)計(jì)方案25-29
- 4.2.1 紫外光照射時(shí)間的實(shí)驗(yàn)設(shè)計(jì)25-29
- 4.3 紫外光照射時(shí)間的實(shí)驗(yàn)設(shè)計(jì)裂片組現(xiàn)象機(jī)理分析29-35
- 4.4 UV膜實(shí)驗(yàn)設(shè)計(jì)結(jié)論35-36
- 第五章 對(duì)于貼片頂針的實(shí)驗(yàn)設(shè)計(jì)36-46
- 5.1 引言36
- 5.2 頂針的實(shí)驗(yàn)設(shè)計(jì)方案36-40
- 5.2.1 頂針機(jī)構(gòu)的實(shí)驗(yàn)設(shè)計(jì)36-39
- 5.2.2 拾取頭的分析39-40
- 5.3 頂針實(shí)驗(yàn)設(shè)計(jì)的結(jié)論40-46
- 第六章 實(shí)驗(yàn)設(shè)計(jì)的總結(jié)46-48
- 6.1 引言46
- 6.2 實(shí)驗(yàn)設(shè)計(jì)總結(jié)46
- 6.3 解決方案的可靠性確認(rèn)46-47
- 6.4 展望47-48
- 參考文獻(xiàn)48-49
- 致謝49
【參考文獻(xiàn)】
中國(guó)期刊全文數(shù)據(jù)庫(kù) 前2條
1 孔祥梅;劉蓉;汪臣;;利用Red-X工具分析雜物箱的質(zhì)量問題[J];企業(yè)科技與發(fā)展;2015年09期
2 楊躍勝;武岳山;;芯片產(chǎn)業(yè)化過程中所使用UV膜與藍(lán)膜特性分析[J];現(xiàn)代電子技術(shù);2013年04期
中國(guó)博士學(xué)位論文全文數(shù)據(jù)庫(kù) 前2條
1 劉尊旭;超薄芯片無(wú)損剝離的機(jī)理研究與工藝優(yōu)化[D];華中科技大學(xué);2015年
2 彭波;IC薄芯片拾取建模與控制研究[D];華中科技大學(xué);2012年
,本文編號(hào):1119425
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