LED強化出光技術(shù)研究進展
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更多相關(guān)文章: LED 發(fā)光效率 光提取效率 取光結(jié)構(gòu) 強化出光
【摘要】:發(fā)光二極管LED(Light Emitting Diode)具有節(jié)能、環(huán)保、壽命長三大優(yōu)勢,被譽為第4代照明光源,但其發(fā)光效率有待進一步提高,導致發(fā)光效率損失的主要原因是光提取效率較低,由于半導體材料的折射率較高,大部分輻射光線在芯片內(nèi)部產(chǎn)生全反射,最終被吸收轉(zhuǎn)化成熱量.為了提升LED的光提取效率,目前采用的主要方法包括在芯片各表面加工強化出光微結(jié)構(gòu)、改變芯片形狀以及改善封裝結(jié)構(gòu)與材料3個方面.文章詳細分析了各種強化出光方法的原理、研究方法及其研究成果,并展望了未來的發(fā)展趨勢.
【作者單位】: 華南師范大學華南先進光電子研究院彩色動態(tài)電子紙顯示技術(shù)研究所;深圳市國華光電科技有限公司;深圳市國華光電研究院;
【關(guān)鍵詞】: LED 發(fā)光效率 光提取效率 取光結(jié)構(gòu) 強化出光
【分類號】:TN312.8
【正文快照】: 面對嚴峻的能源、環(huán)境壓力,加快資源節(jié)約型和環(huán)境友好型社會的建設已成為國家經(jīng)濟和社會發(fā)展的戰(zhàn)略性抉擇.發(fā)光二極管LED(Light EmittingDiode)具有節(jié)能、環(huán)保、壽命長三大優(yōu)勢,是繼白熾燈、熒光燈和高強度氣體放電燈之后的第4代照明光源.據(jù)統(tǒng)計,目前照明用電占全球總用電量的
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2 黃立娟;張勁松;陳云明;楊彬;;醫(yī)用同位素生產(chǎn)堆鉬提取效率影響因素研究[A];中國核科學技術(shù)進展報告——中國核學會2009年學術(shù)年會論文集(第一卷·第4冊)[C];2009年
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,本文編號:1108630
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