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LED強(qiáng)化出光技術(shù)研究進(jìn)展

發(fā)布時(shí)間:2017-10-28 14:22

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【摘要】:發(fā)光二極管LED(Light Emitting Diode)具有節(jié)能、環(huán)保、壽命長(zhǎng)三大優(yōu)勢(shì),被譽(yù)為第4代照明光源,但其發(fā)光效率有待進(jìn)一步提高,導(dǎo)致發(fā)光效率損失的主要原因是光提取效率較低,由于半導(dǎo)體材料的折射率較高,大部分輻射光線在芯片內(nèi)部產(chǎn)生全反射,最終被吸收轉(zhuǎn)化成熱量.為了提升LED的光提取效率,目前采用的主要方法包括在芯片各表面加工強(qiáng)化出光微結(jié)構(gòu)、改變芯片形狀以及改善封裝結(jié)構(gòu)與材料3個(gè)方面.文章詳細(xì)分析了各種強(qiáng)化出光方法的原理、研究方法及其研究成果,并展望了未來(lái)的發(fā)展趨勢(shì).
【作者單位】: 華南師范大學(xué)華南先進(jìn)光電子研究院彩色動(dòng)態(tài)電子紙顯示技術(shù)研究所;深圳市國(guó)華光電科技有限公司;深圳市國(guó)華光電研究院;
【關(guān)鍵詞】LED 發(fā)光效率 光提取效率 取光結(jié)構(gòu) 強(qiáng)化出光
【分類號(hào)】:TN312.8
【正文快照】: 面對(duì)嚴(yán)峻的能源、環(huán)境壓力,加快資源節(jié)約型和環(huán)境友好型社會(huì)的建設(shè)已成為國(guó)家經(jīng)濟(jì)和社會(huì)發(fā)展的戰(zhàn)略性抉擇.發(fā)光二極管LED(Light EmittingDiode)具有節(jié)能、環(huán)保、壽命長(zhǎng)三大優(yōu)勢(shì),是繼白熾燈、熒光燈和高強(qiáng)度氣體放電燈之后的第4代照明光源.據(jù)統(tǒng)計(jì),目前照明用電占全球總用電量的

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1 周東營(yíng);史曉波;谷威;;簡(jiǎn)易光散射層對(duì)有機(jī)電致發(fā)光器件光提取效率的改善[A];2011中國(guó)材料研討會(huì)論文摘要集[C];2011年

2 黃立娟;張勁松;陳云明;楊彬;;醫(yī)用同位素生產(chǎn)堆鉬提取效率影響因素研究[A];中國(guó)核科學(xué)技術(shù)進(jìn)展報(bào)告——中國(guó)核學(xué)會(huì)2009年學(xué)術(shù)年會(huì)論文集(第一卷·第4冊(cè))[C];2009年

3 高清松;童立新;涂波;陳曉琳;唐淳;馮國(guó)英;;激光二極管抽運(yùn)Nd:YAG雙棒的提取效率[A];第十七屆全國(guó)激光學(xué)術(shù)會(huì)議論文集[C];2005年

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2 于曉杰;jb球周期結(jié)構(gòu)增強(qiáng)LED發(fā)光效率的研究[D];山東大學(xué);2015年

3 林曉煜;利用納米壓痕技術(shù)提高AlGaInP LED光提取效率的研究[D];山東大學(xué);2015年

4 洪圖;GaN基LED的蒙特卡羅光子追蹤法設(shè)計(jì)與模擬[D];廈門大學(xué);2009年

5 郝陽(yáng);利用表面等離子激元提高LED光提取效率的研究[D];燕山大學(xué);2013年

6 許慶濤;采用光子晶體與全向反射鏡提高LED光提取效率[D];山東大學(xué);2009年

7 李慧;表面粗化提高GaN基LED光提取效率[D];西安電子科技大學(xué);2010年

8 李偉;表面微結(jié)構(gòu)對(duì)GaN基LED光提取效率提高的研究[D];山東大學(xué);2014年

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本文編號(hào):1108630

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