本文關(guān)鍵詞：溝槽肖特基器件Si深槽刻蝕工藝

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【摘要】：深硅刻蝕工藝是制造溝槽肖特基器件的關(guān)鍵技術(shù)。Si深槽的深度影響肖特基反向擊穿電壓,深槽的垂直度影響多晶Si回填效果,側(cè)壁平滑度及深槽底部長草現(xiàn)象對器件的耐壓性能影響顯著。采用SF6/O2常溫刻蝕工藝刻蝕Si深槽。研究了工藝壓力、線圈功率、SF6/O2比例以及下電極功率等參數(shù)對溝槽深度均勻性和垂直度的影響。得到了使Si深槽形貌為槽口寬度略大于槽底,側(cè)壁光滑,且溝槽深度均勻性為2.3%左右的工藝條件。利用該刻蝕工藝可實現(xiàn)溝槽多晶Si無縫回填。該工藝條件成功應用于溝槽肖特基器件制作中,反向擊穿電壓達到58 V,反向電壓通48 V,漏電流為11.2μA,良率達到97.55%。
【作者單位】： 杭州士蘭集成電路有限公司;
【關(guān)鍵詞】： 溝槽肖特基器件 Si深槽刻蝕 常溫刻蝕 無縫回填 SF/O比例
【分類號】：TN305.7
【正文快照】： 0引言溝槽肖特基產(chǎn)品[1](TMBS)一般在Si n型襯底上生長所需厚度的外延層,再刻蝕溝槽,接著在溝槽側(cè)壁生長柵氧化層形成絕緣層,最后在溝槽中利用多晶Si回填工藝形成溝槽MOS結(jié)構(gòu),溝槽MOS結(jié)構(gòu)圍繞在肖特基勢壘結(jié)周圍。TMBS制造過程中溝槽刻蝕是關(guān)鍵工藝,直接影響后續(xù)多晶硅回填工

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本文編號：1102343