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2~8GHz寬帶GaN功率放大器MMIC

發(fā)布時(shí)間:2017-10-23 23:35

  本文關(guān)鍵詞:2~8GHz寬帶GaN功率放大器MMIC


  更多相關(guān)文章: 氮化鎵 功率放大器 ~ GHz 單片微波集成電路 寬帶 兩級(jí)拓?fù)?/b>


【摘要】:基于0.25μm Ga N HEMT工藝,研制了一款兩級(jí)拓?fù)浞糯蠼Y(jié)構(gòu)的2~8 GHz寬帶功率放大器MMIC(單片微波集成電路)。MMIC所用Ga N HEMT器件結(jié)構(gòu)經(jīng)過(guò)優(yōu)化,提高了放大器的可靠性和性能;電路采用多極點(diǎn)電抗匹配網(wǎng)絡(luò),擴(kuò)展了放大器的帶寬,減小了電路的損耗。測(cè)試結(jié)果表明,在2~8 GHz測(cè)試頻帶內(nèi),在脈沖偏壓28 V(脈寬1 ms,占空比30%)時(shí),峰值輸出功率大于30 W,功率附加效率大于25%,小信號(hào)增益大于24 d B,輸入電壓駐波比在2.8以下,在6 GHz處的峰值輸出功率達(dá)到50 W,功率附加效率達(dá)到40%;在穩(wěn)態(tài)偏壓28 V時(shí),連續(xù)波飽和輸出功率大于20 W,功率附加效率大于20%。尺寸為4.0 mm×5.0 mm。
【作者單位】: 專用集成電路國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室;中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第十三研究所;
【關(guān)鍵詞】氮化鎵 功率放大器 ~ GHz 單片微波集成電路 寬帶 兩級(jí)拓?fù)?/strong>
【分類號(hào)】:TN722.75
【正文快照】: 寬帶功率放大器MMIC在現(xiàn)代雷達(dá)和通信系統(tǒng)中有廣泛的應(yīng)用,國(guó)內(nèi)外有多款砷化鎵(Ga As)基寬帶功率放大器MMIC的成熟產(chǎn)品,飽和輸出功率在10 W左右。M/A-COM公司的MAAPGM0078-DIE,采用Ga As MSAGTM(Ga As MultifunctionSelf-Aligned Gate)工藝制作,在2~6 GHz工作頻率內(nèi),飽和輸出功

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【共引文獻(xiàn)】

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1 王會(huì)智;高學(xué)邦;劉波;張力江;馮志紅;;2~8GHz寬帶GaN功率放大器MMIC[J];電子元件與材料;2016年05期

【相似文獻(xiàn)】

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6 黃玉濤;樊仲維;牛崗;閆瑩;王小發(fā);黃科;連富強(qiáng);唐熊忻;;平均功率5w,重復(fù)頻率100KHz的Nd:YVO_4皮秒再生放大器[A];中國(guó)光學(xué)學(xué)會(huì)2011年學(xué)術(shù)大會(huì)摘要集[C];2011年

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8 戴春玲;;8.2~8.5GHz線性功率放器[A];1993年全國(guó)微波會(huì)議論文集(下冊(cè))[C];1993年

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中國(guó)碩士學(xué)位論文全文數(shù)據(jù)庫(kù) 前10條

1 謝力慧;300MHz集成鎖相環(huán)頻率合成器的設(shè)計(jì)[D];電子科技大學(xué);2011年

2 李嘉;0.1THz擴(kuò)展互作用諧振腔的理論研究與設(shè)計(jì)[D];電子科技大學(xué);2009年

3 董利芳;700MHz螺旋雙工器的研制[D];電子科技大學(xué);2009年

4 張智;1.1GHz頻率合成模塊設(shè)計(jì)[D];電子科技大學(xué);2013年

5 張海廷;4GHz低相噪微波介質(zhì)振蕩器的設(shè)計(jì)與研究[D];南京郵電大學(xué);2012年

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7 翟羽;100-400MHz寬帶功率放大器的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)[D];華中科技大學(xué);2011年

8 蘇斌;470-860MHz寬帶功率放大器的設(shè)計(jì)[D];電子科技大學(xué);2008年

9 李輝;1.8GHz前饋功率放大器的仿真實(shí)現(xiàn)[D];電子科技大學(xué);2002年

10 楊威;865-880MHz功率放大器的研究與設(shè)計(jì)[D];武漢郵電科學(xué)研究院;2015年



本文編號(hào):1085980


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