2～8GHz寬帶GaN功率放大器MMIC
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更多相關(guān)文章： 氮化鎵 功率放大器 ~ GHz 單片微波集成電路 寬帶 兩級拓?fù)?/b>
【摘要】：基于0.25μm Ga N HEMT工藝,研制了一款兩級拓?fù)浞糯蠼Y(jié)構(gòu)的2~8 GHz寬帶功率放大器MMIC(單片微波集成電路)。MMIC所用Ga N HEMT器件結(jié)構(gòu)經(jīng)過優(yōu)化,提高了放大器的可靠性和性能;電路采用多極點(diǎn)電抗匹配網(wǎng)絡(luò),擴(kuò)展了放大器的帶寬,減小了電路的損耗。測試結(jié)果表明,在2~8 GHz測試頻帶內(nèi),在脈沖偏壓28 V(脈寬1 ms,占空比30%)時,峰值輸出功率大于30 W,功率附加效率大于25%,小信號增益大于24 d B,輸入電壓駐波比在2.8以下,在6 GHz處的峰值輸出功率達(dá)到50 W,功率附加效率達(dá)到40%;在穩(wěn)態(tài)偏壓28 V時,連續(xù)波飽和輸出功率大于20 W,功率附加效率大于20%。尺寸為4.0 mm×5.0 mm。
【作者單位】： 專用集成電路國家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室;中國電子科技集團(tuán)公司第十三研究所;
【關(guān)鍵詞】： 氮化鎵 功率放大器 ~ GHz 單片微波集成電路 寬帶 兩級拓?fù)?/strong>
【分類號】：TN722.75
【正文快照】： 寬帶功率放大器MMIC在現(xiàn)代雷達(dá)和通信系統(tǒng)中有廣泛的應(yīng)用,國內(nèi)外有多款砷化鎵(Ga As)基寬帶功率放大器MMIC的成熟產(chǎn)品,飽和輸出功率在10 W左右。M/A-COM公司的MAAPGM0078-DIE,采用Ga As MSAGTM(Ga As MultifunctionSelf-Aligned Gate)工藝制作,在2~6 GHz工作頻率內(nèi),飽和輸出功
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