發(fā)布時間：2017-10-23 21:39

  本文關(guān)鍵詞：砷化鎵材料發(fā)展狀況概述

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【摘要】：砷化鎵廣泛應(yīng)用于光電子和微電子領(lǐng)域,是制作半導(dǎo)體發(fā)光二極管和通信器件的關(guān)鍵襯底材料。與硅單晶一樣,砷化鎵襯底正逐步向大尺寸、高幾何精度、高表面質(zhì)量方向發(fā)展。目前,日本住友電工、美國AXT代表著國際領(lǐng)先水平;中科晶電、晶明公司代表著國內(nèi)的先進水平。未來幾年,是國內(nèi)企業(yè)研發(fā)6英寸產(chǎn)品,向國際水平?jīng)_擊的重要時期。
【作者單位】： 中國電子科技集團公司第四十六研究所;
【關(guān)鍵詞】： 砷化鎵 半導(dǎo)體發(fā)光二極管 襯底材料
【基金】：天津市科技計劃項目支持(15ZLZLZF00200)
【分類號】：TN304.23
【正文快照】： 砷化鎵(Ga As)是目前最重要、最成熟的化合物半導(dǎo)體材料之一,廣泛應(yīng)用于光電子和微電子領(lǐng)域。Ga As材料主要分為兩類:半絕緣砷化鎵材料和半導(dǎo)體砷化鎵材料。半絕緣砷化鎵材料主要制作MESFET、HEMT和HBT結(jié)構(gòu)的集成電路。主要用于雷達、微波及毫米波通信、超高速計算機及光纖通

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本文編號：1085527