本文關鍵詞：沉積時間對磁控濺射法制備氮化硼薄膜相結構的影響

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【摘要】：利用射頻磁控濺射方法,以六角氮化硼(h BN)為靶材,在單晶硅襯底上制備氮化硼(BN)薄膜,系統(tǒng)地研究了沉積時間對BN薄膜相結構的影響。紅外光譜分析表明,隨著沉積時間的增加,薄膜中h BN相含量減少,正交氮化硼(o BN)相含量增加。
【作者單位】： 包頭師范學院;
【關鍵詞】： 氮化硼薄膜 沉積時間 紅外光譜 相轉變
【基金】：包頭師范學院青年科技基金項目“正交氮化硼(oBN)薄膜的制備及相轉變研究”(編號:BSYKJ2014-32)成果
【分類號】：TN304.2;TB383.2
【正文快照】： 一、引言氮化硼(BN)是應用非常廣泛的半導體多功能材料,具有良好的物理和化學性質,在機械、電子、半導體器件等領域有著重要的應用前景。BN的硼原子和氮原子是以sp2和sp3雜化方式相互作用,BN分子在空間不同的堆垛方式,導致形成不同的結構,例如:立方氮化硼(c BN)、六角氮化硼(h

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本文編號：1084234