本文關(guān)鍵詞：壓接式IGBT芯片的研制

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【摘要】：基于現(xiàn)有工藝平臺(tái)開發(fā)了一款具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的3 300V/50A非穿通型(NPT)壓接式IGBT芯片。該芯片元胞采用平面型結(jié)構(gòu),元胞注入采用自對(duì)準(zhǔn)工藝,背發(fā)射極采用透明集電極技術(shù)。為適用于壓接封裝,避免壓力對(duì)MOS溝道的影響,在有源區(qū)淀積第二層厚金屬鋁,并在JFET區(qū)上方用場氧墊高。終端采用場環(huán)+多級(jí)場板復(fù)合結(jié)構(gòu),結(jié)合橫向的場終止技術(shù),實(shí)現(xiàn)高效率的終端結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)。將此設(shè)計(jì)進(jìn)行流片驗(yàn)證,測(cè)試結(jié)果顯示擊穿電壓4 200V以上,飽和壓降3.75V,閾值電壓7.1V,實(shí)測(cè)值和仿真值相差不大。將壓接式芯片封裝成3 300V/600A壓接式模塊,飽和壓降較芯片級(jí)偏小0.05V。
【作者單位】： 國網(wǎng)智能電網(wǎng)研究院電工新材料及微電子研究所;
【關(guān)鍵詞】： 絕緣柵雙極晶體管 元胞 終端 壓接封裝
【基金】：國家電網(wǎng)公司科技項(xiàng)目《2500V/600A壓接式IGBT模塊關(guān)鍵技術(shù)研究》(SGRI-WD-71-13-006)
【分類號(hào)】：TN322.8
【正文快照】： 引言IGBT在電網(wǎng)系統(tǒng)尤其是智能電網(wǎng)中應(yīng)用越來越廣泛,例如光伏逆變器、充電樁逆變器、FACTS裝置、柔性直流換流閥以及電能質(zhì)量治理裝置等。壓接式IGBT因其獨(dú)特的結(jié)構(gòu)形式及失效機(jī)理,被更多地應(yīng)用于柔性直流輸電及無功補(bǔ)償設(shè)備領(lǐng)域。壓接式IGBT相比傳統(tǒng)模塊式IGBT的優(yōu)勢(shì)在于取

【相似文獻(xiàn)】

中國期刊全文數(shù)據(jù)庫 前10條

1 年曉玲;;壓接連接工藝技術(shù)[J];電子質(zhì)量;2010年07期

2 年曉玲;;插針線纜壓接工藝技術(shù)[J];電子質(zhì)量;2009年06期

3 吳海;王志明;;PCB連接器壓接設(shè)備的改進(jìn)設(shè)計(jì)[J];機(jī)械制造與自動(dòng)化;2014年03期

4 王鑫;;PFMEA在壓接裝配中的應(yīng)用研究[J];電子產(chǎn)品可靠性與環(huán)境試驗(yàn);2011年01期

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本文編號(hào)：1083012