基于中壓IGBT動態(tài)特性測試平臺設(shè)計與實現(xiàn)
本文關(guān)鍵詞:基于中壓IGBT動態(tài)特性測試平臺設(shè)計與實現(xiàn)
更多相關(guān)文章: 開關(guān)特性 特性測試 損耗 IGBT
【摘要】:為了探究換流器件IGBT的開關(guān)特性,設(shè)計一套用于中壓IGBT動態(tài)特性測試的實驗平臺。該測試平臺采用雙脈沖測試的方法,以計算機為核心,通過充電電容提供母線電壓,通過DSP提供雙脈沖,以高效能示波器實現(xiàn)數(shù)據(jù)的采集和存儲。借助實驗所得的電壓、電流波形曲線及存儲的數(shù)據(jù),可估算IGBT的開關(guān)特性參數(shù)和損耗。通過對FF50R12RT4(1200V/50AIGBT)的開關(guān)特性的測量,從而驗證了該平臺的實用性。
【作者單位】: 北京交通大學電氣工程學院;
【關(guān)鍵詞】: 開關(guān)特性 特性測試 損耗 IGBT
【基金】:新能源電力系統(tǒng)國家重點實驗室(華北電力大學)開放課題基金項目(LAPS13003) 中央高;究蒲袠I(yè)務(wù)費專項資金項目(2014JBM116)資助
【分類號】:TN322.8;TM46
【正文快照】: 在電壓型變流器的工作過程中,IGBT(絕緣柵極雙極型晶體管)的開關(guān)特性對于整個變換器是非常重要的。IGBT的動態(tài)特性決定了開關(guān)損耗,而開關(guān)損耗制約高頻變換器的頻率及工作效率。器件周期性的開通和關(guān)斷會產(chǎn)生電磁干擾,而通斷過程中過大的du/dt和di/dt還會引起電壓和電流尖峰[1-
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,本文編號:1079467
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