本文關(guān)鍵詞：利用MIVM模型預(yù)測冶金級硅真空精煉過程雜質(zhì)的揮發(fā)特性

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【摘要】：運(yùn)用分子相互作用體積模型預(yù)測了二元硅基熔體中Zn、Sb、Mg、Mn、Cu和Sn的活度系數(shù).結(jié)合模型所得的對勢能相互作用B參數(shù)和活度等熱力學(xué)數(shù)據(jù),計(jì)算了硅與各雜質(zhì)元素形成的二元系蒸發(fā)系數(shù)和揮發(fā)速率,繪制出了硅基合金蒸餾過程中的氣液相平衡圖。研究結(jié)果表明,模型所預(yù)測的活度值與實(shí)驗(yàn)值吻合很好,真空精煉有利于Sb、Zn、Mg從硅熔體中分離,而Mn、Cu、Sn難以分離。硅中的各雜質(zhì)的蒸發(fā)行為受其活度和溫度的聯(lián)合控制。本文通過對冶金硅中雜質(zhì)揮發(fā)性質(zhì)的研究,為真空提純冶金級硅提供了可靠的理論依據(jù)。
【作者單位】： 昆明理工大學(xué)云南省有色金屬真空冶金重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室;昆明理工大學(xué)云南省高校硅冶金與硅材料工程研究中心;昆明理工大學(xué)復(fù)雜有色金屬資源清潔利用國家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室;
【關(guān)鍵詞】： 分子相互作用體積模型 冶金級硅 真空蒸餾 氣液相平衡
【基金】：國家自然科學(xué)基金項(xiàng)目(21563017,51334002) 云南省自然科學(xué)基金項(xiàng)目(2016FA022)
【分類號】：TN304.12
【正文快照】： 太陽能多晶硅(SOG-Si)是太陽光電轉(zhuǎn)化的關(guān)鍵材料,具有制備工藝相對成熟、生產(chǎn)成本低及電池產(chǎn)品穩(wěn)定等優(yōu)點(diǎn)[1]。目前,冶金法制備多晶硅由于其建設(shè)周期短、生產(chǎn)能耗低、污染低等眾多優(yōu)點(diǎn)受到普遍關(guān)注。冶金法是指采用濕法冶金、造渣精煉、合金法精煉、真空精煉、定向凝固等方法

【相似文獻(xiàn)】

中國期刊全文數(shù)據(jù)庫 前10條

1 羅大偉;劉寧;盧一平;張國良;李廷舉;;應(yīng)用電磁感應(yīng)造渣法去除冶金級硅中雜質(zhì)硼(英文)[J];Transactions of Nonferrous Metals Society of China;2011年05期

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5 李R，

本文編號：1078072