本文關(guān)鍵詞：高壓SiC器件在FREEDM系統(tǒng)中的應(yīng)用

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【摘要】：碳化硅SiC(silicon carbide)是目前最為成熟的寬禁帶半導(dǎo)體材料之一,在高壓、高溫、高頻等領(lǐng)域,碳化硅器件的研究和應(yīng)用已成為當(dāng)前的研究熱點(diǎn)。針對碳化硅器件目前的生產(chǎn)使用狀況,簡述了與碳化硅主要生產(chǎn)商CREE緊密合作的FREEDM中心的研究情況,重點(diǎn)分析了高壓SiC MOSFET,IGBT,ETO,JFET在SST(Solid State Transformer)和FID(Fault Isolation Device)中的應(yīng)用。針對各類器件本身的特性,FREEDM中心有針對性的選擇了相關(guān)應(yīng)用領(lǐng)域,并開發(fā)了多代SST和FID的拓?fù)?許多重要的研究成果引領(lǐng)了全球高壓SiC器件的研究趨勢。
【作者單位】： 南京工程學(xué)院電力工程學(xué)院;
【關(guān)鍵詞】： 碳化硅SiC 固態(tài)變壓器 故障隔離裝置 三電平NPC 軟開關(guān) 直流-直流變換器
【基金】：南京工程學(xué)院高層次引進(jìn)人才科研啟動(dòng)基金資助項(xiàng)目(YKJ201522)~~
【分類號】：TN303
【正文快照】：

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本文編號：1075466