本文關(guān)鍵詞：GaZnO透明導(dǎo)電層提高綠光LED發(fā)光效率

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【摘要】：詳細(xì)研究了分別利用Ga Zn O薄膜和納米級(jí)Ni/Au薄膜作為透明導(dǎo)電層(TCL)的綠光LED芯片的光電性能。利用掃描電子顯微鏡和透射光譜對(duì)Ga Zn O TCL和傳統(tǒng)的納米級(jí)Ni/Au TCL進(jìn)行結(jié)構(gòu)表征,結(jié)果表明,Ga Zn O透明導(dǎo)電層表面呈現(xiàn)為高密度、納米尺度的突起,而納米級(jí)Ni/Au TCL樣品表面則較為平整;研究波長(zhǎng)范圍內(nèi),Ga Zn O薄膜具有較高的透射率(大于90%)。對(duì)兩種LED芯片的光電特性進(jìn)行測(cè)試,結(jié)果表明,Ga Zn O作為透明導(dǎo)電層的LED芯片發(fā)光均勻,具有較小的正向開(kāi)啟電壓、等效串聯(lián)電阻,發(fā)光峰中心波長(zhǎng)變化僅有5.6 nm,而發(fā)光效率相對(duì)于傳統(tǒng)的Ni/Au TCL LED提高40%,光電工作特性優(yōu)異。
【作者單位】： 南京信息工程大學(xué)物理與光電工程學(xué)院;南京大學(xué)電子科學(xué)與工程學(xué)院江蘇省光電信息功能材料重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室;
【關(guān)鍵詞】： 綠光發(fā)光二極管(LED) 鎵摻雜氧化鋅(GaZnO)薄膜 發(fā)光效率 透明導(dǎo)電層(TCL) 多量子阱(MQW)
【基金】：國(guó)家自然科學(xué)基金青年科學(xué)基金資助項(xiàng)目(21203098)
【分類(lèi)號(hào)】：TN312.8
【正文快照】： 0引言Ⅲ族氮化物發(fā)光二極管(light emitting diode,LED)具有發(fā)光效率高、光譜可調(diào)范圍大、響應(yīng)時(shí)間短、節(jié)能環(huán)保等諸多特點(diǎn),目前已在室內(nèi)照明、交通信號(hào)燈、汽車(chē)燈具、全彩色顯示等領(lǐng)域得到廣泛研究和應(yīng)用[1]。目前,氮化物藍(lán)光LED已達(dá)到較高的發(fā)光效率[2],但是,長(zhǎng)波長(zhǎng)的氮化物

【相似文獻(xiàn)】

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本文編號(hào)：1059788