本文關(guān)鍵詞：幾種典型寬禁帶半導(dǎo)體材料的制備及發(fā)展現(xiàn)狀

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【摘要】：闡述了SiC、GaN、AlN等幾種寬禁帶半導(dǎo)體材料的特性、突出優(yōu)勢(shì)及其重要應(yīng)用;并對(duì)比分析了目前制備這些半導(dǎo)體材料的主流方法及其各自存在的利與弊;最后討論了寬禁帶半導(dǎo)體材料的發(fā)展現(xiàn)狀及其存在的挑戰(zhàn)。
【作者單位】： 中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第四十六研究所;
【關(guān)鍵詞】： 碳化硅 氮化鎵 寬禁帶半導(dǎo)體 器件
【分類號(hào)】：TN304
【正文快照】： 隨著半導(dǎo)體技術(shù)的不斷發(fā)展,傳統(tǒng)半導(dǎo)體材料如Si和G a A s受其自身固有性質(zhì)的限制已經(jīng)難以滿足各器件領(lǐng)域進(jìn)一步深入應(yīng)用的需要。在電子材料向大尺寸、多功能化及集成化發(fā)展的大趨勢(shì)下,第三代寬禁帶半導(dǎo)體材料如Si C、G a N、A l N、金剛石、Z n Se等由于具有更高的擊穿電場(chǎng)、

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