本文關(guān)鍵詞：幾種典型寬禁帶半導(dǎo)體材料的制備及發(fā)展現(xiàn)狀

  更多相關(guān)文章： 碳化硅 氮化鎵 寬禁帶半導(dǎo)體 器件

【摘要】：闡述了SiC、GaN、AlN等幾種寬禁帶半導(dǎo)體材料的特性、突出優(yōu)勢及其重要應(yīng)用;并對比分析了目前制備這些半導(dǎo)體材料的主流方法及其各自存在的利與弊;最后討論了寬禁帶半導(dǎo)體材料的發(fā)展現(xiàn)狀及其存在的挑戰(zhàn)。
【作者單位】： 中國電子科技集團公司第四十六研究所;
【關(guān)鍵詞】： 碳化硅 氮化鎵 寬禁帶半導(dǎo)體 器件
【分類號】：TN304
【正文快照】： 隨著半導(dǎo)體技術(shù)的不斷發(fā)展,傳統(tǒng)半導(dǎo)體材料如Si和G a A s受其自身固有性質(zhì)的限制已經(jīng)難以滿足各器件領(lǐng)域進一步深入應(yīng)用的需要。在電子材料向大尺寸、多功能化及集成化發(fā)展的大趨勢下,第三代寬禁帶半導(dǎo)體材料如Si C、G a N、A l N、金剛石、Z n Se等由于具有更高的擊穿電場、

【相似文獻】

中國期刊全文數(shù)據(jù)庫 前10條

1 云振新;;寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù)的研究與開發(fā)在歐美快速展開[J];電子與封裝;2006年07期

2 顏秀文;武祥;;寬禁帶半導(dǎo)體關(guān)鍵設(shè)備技術(shù)及發(fā)展[J];電子工業(yè)專用設(shè)備;2013年05期

3 ;Ⅱ一Ⅳ族寬禁帶半導(dǎo)體光激發(fā)的藍色發(fā)光已獲成功[J];真空科學(xué)與技術(shù);1994年05期

4 李耐和;;寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù)最新進展[J];電子產(chǎn)品世界;2007年01期

5 李春;陳剛;李宇柱;周建軍;李肖;;B~+注入隔離在寬禁帶半導(dǎo)體中的應(yīng)用[J];固體電子學(xué)研究與進展;2011年03期

6 汪邦金;朱華順;關(guān)宏山;;寬禁帶半導(dǎo)體器件環(huán)境適應(yīng)性驗證技術(shù)[J];雷達科學(xué)與技術(shù);2011年05期

7 畢克允;李松法;;寬禁帶半導(dǎo)體器件的發(fā)展[J];中國電子科學(xué)研究院學(xué)報;2006年01期

8 田敬民;寬禁帶半導(dǎo)體金剛石材料與功率器件[J];半導(dǎo)體雜志;1995年03期

9 陳治明;;寬禁帶半導(dǎo)體電力電子器件研發(fā)新進展[J];電力電子技術(shù);2009年11期

10 張波;鄧小川;張有潤;李肇基;;寬禁帶半導(dǎo)體SiC功率器件發(fā)展現(xiàn)狀及展望[J];中國電子科學(xué)研究院學(xué)報;2009年02期

中國重要會議論文全文數(shù)據(jù)庫 前2條

1 高勇;;寬禁帶半導(dǎo)體電力電子器件前景展望[A];2010’全國半導(dǎo)體器件技術(shù)研討會論文集[C];2010年

2 彭同華;劉春俊;王波;王錫銘;郭鈺;趙寧;婁艷芳;鮑慧強;李龍遠;王文軍;王剛;郭麗偉;陳小龍;;寬禁帶半導(dǎo)體碳化硅單晶產(chǎn)業(yè)化進展[A];第十六屆全國晶體生長與材料學(xué)術(shù)會議論文集-11藍寶石及襯底材料[C];2012年

中國重要報紙全文數(shù)據(jù)庫 前1條

1 本報記者 秦黎霞;推動亞太地區(qū)寬禁帶半導(dǎo)體研究[N];張家界日報;2009年

中國博士學(xué)位論文全文數(shù)據(jù)庫 前5條

1 陳允峰;寬禁帶半導(dǎo)體紫外感光器件性能研究[D];南京大學(xué);2016年

2 郭猛;寬禁帶半導(dǎo)體材料的電子結(jié)構(gòu)與性質(zhì)研究[D];山東大學(xué);2012年

3 王丹丹;寬禁帶半導(dǎo)體光電功能材料的理論研究[D];中國科學(xué)院研究生院(長春光學(xué)精密機械與物理研究所);2015年

4 鄒崇文;NSRL表面物理站的調(diào)試及寬禁帶半導(dǎo)體的SRPES研究[D];中國科學(xué)技術(shù)大學(xué);2006年

5 郭俊福;寬禁帶半導(dǎo)體器件的研制及其測量技術(shù)[D];中國科學(xué)技術(shù)大學(xué);2008年

中國碩士學(xué)位論文全文數(shù)據(jù)庫 前4條

1 盧嘯;寬禁帶半導(dǎo)體高效率功率放大器技術(shù)研究[D];電子科技大學(xué);2014年

2 張翼;基于寬禁帶半導(dǎo)體4H-SiC的功率IGBT模型及特性研究[D];贛南師范學(xué)院;2012年

3 羅來強;寬禁帶半導(dǎo)體納米結(jié)構(gòu)制備及其場發(fā)射應(yīng)用研究[D];華東師范大學(xué);2005年

4 方偉;SPT薄穿通IGBT的設(shè)計[D];電子科技大學(xué);2011年

，

本文編號：1053931