本文關(guān)鍵詞：硅微通道列陣氧化形變實(shí)驗(yàn)研究

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【摘要】：在高溫氧化工藝中硅片的翹曲和彎曲現(xiàn)象比較嚴(yán)重,對后續(xù)工藝造成很大困難,使器件成品率和性能受到很大的影響,造成該現(xiàn)象的主要原因是因?yàn)樵诙趸^程中硅和二氧化硅熱膨脹系數(shù)的差異,由于熱膨脹系數(shù)隨著溫度而變化導(dǎo)致形變的產(chǎn)生。從晶體本身分析在熱氧化過程中晶體本身產(chǎn)生大量空位在氧化過后溫度極速下降導(dǎo)致空位無法擴(kuò)散,形成空位團(tuán),當(dāng)聚集到一定地步會(huì)造成塌崩,形成嚴(yán)重的缺陷導(dǎo)致受到熱應(yīng)力的不均勻,最后導(dǎo)致形變。通過測量硅微通道板不同位置的擊穿電壓分析導(dǎo)致?lián)舸╇妷翰痪鶆虻脑颉?br/> 【作者單位】： 長春理工大學(xué);
【關(guān)鍵詞】： 熱氧化 熱膨脹 熱應(yīng)力 擊穿電壓
【分類號(hào)】：TN405
【正文快照】： 引言硅基集成電路制造技術(shù)的基礎(chǔ)之一是在硅片表面來熱生長一層的能力。氧化物掩蔽技術(shù)是一種熱生長的氧化層上通過刻印圖形和刻蝕達(dá)到對硅襯底進(jìn)行擴(kuò)散摻雜的工藝技術(shù),也是上個(gè)世紀(jì)50年代以來最主要的發(fā)展,這是大規(guī)模晶體管發(fā)展的關(guān)鍵因素[1-3]。從這層意義上講,氧化在硅的平

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