碲鎘汞紅外探測器暗電流特性的參數(shù)提取研究
本文關(guān)鍵詞:碲鎘汞紅外探測器暗電流特性的參數(shù)提取研究
更多相關(guān)文章: 碲鎘汞(MCT) 暗電流 RV擬合算法 參數(shù)提取
【摘要】:碲鎘汞(HgCdTe)紅外探測器被廣泛應(yīng)用于紅外探測系統(tǒng),可以工作在1-3,3-5和8-14μm的大氣窗口。現(xiàn)在HgCdTe器件的性能水平還難以滿足軍用和民用技術(shù)發(fā)展的需要。為了很大程度地提高HgCdTe器件的性能,就得需要使其中的暗電流降低。針對HgCdTe器件的I-V特性,進(jìn)行定量分析研究,獲得會很大程度上影響器件性能的有關(guān)參數(shù),這樣就可以對暗電流形成的物理機(jī)理進(jìn)行分析研究是很有必要的。本文主要是通過解析模型進(jìn)行模擬分析,提出一種數(shù)據(jù)處理方式對I-V數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換為R-V進(jìn)行擬合計(jì)算,提取了相關(guān)參數(shù),并通過開發(fā)使用軟件對其進(jìn)行分析處理,具體內(nèi)容如下:1.RV擬合算法大致可以分為三部分,分別是數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換和處理,初值確定,和整體擬合實(shí)現(xiàn)。擬合算法中所使用的暗電流機(jī)制包括了擴(kuò)散電流機(jī)制,產(chǎn)生復(fù)合電流機(jī)制,陷阱輔助隧穿機(jī)制以及直接隧穿電流機(jī)制。本文具體地介紹了算法的實(shí)現(xiàn)過程:在數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換和處理中,本文使用多項(xiàng)式擬合對數(shù)據(jù)進(jìn)行光滑處理;在初值確定中,本文利用暗電流物理機(jī)制特性分段R-y曲線,然后使用Levenberg-Marquardt算法分段擬合提取整體擬合的初值;最后,使用坐標(biāo)輪換法(包含一維搜索法)多變量整體擬合R-V曲線。2.為了方便處理測試實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù),本文通過使用VC編程把RV擬合算法開發(fā)為RV擬合軟件。軟件功能包括單組數(shù)據(jù)擬合,變溫?cái)M合和變結(jié)面積擬合。通過使用RV擬合軟件,本文對長波HgCdTe光伏探測器在不同溫度和不同結(jié)面積下的暗電流特性進(jìn)行研究。本文通過對實(shí)際器件的R-V特性曲線的擬合計(jì)算,獲得了器件物理參數(shù)隨溫度的變化規(guī)律,并獲得了長波HgCdTe光伏器件的基本物理參數(shù),為提高器件性能提供參考。
【關(guān)鍵詞】:碲鎘汞(MCT) 暗電流 RV擬合算法 參數(shù)提取
【學(xué)位授予單位】:云南大學(xué)
【學(xué)位級別】:碩士
【學(xué)位授予年份】:2016
【分類號】:TN215
【目錄】:
- 摘要3-4
- ABSTRACT4-8
- 第1章 緒論8-16
- 1.1 紅外探測技術(shù)簡介8-11
- 1.2 碲鎘汞紅外探測器11-13
- 1.2.1 碲鎘汞材料的特點(diǎn)11-12
- 1.2.2 碲鎘汞紅外探測器的發(fā)展趨勢12-13
- 1.3 碲鎘汞紅外探測器理論分析的方法和模型13-15
- 1.4 本論文的主要研究內(nèi)容15-16
- 第2章 RV擬合算法實(shí)現(xiàn)過程16-32
- 2.1 暗電流機(jī)制16-22
- 2.2 RV擬合算法實(shí)現(xiàn)22-31
- 2.2.1 數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換與處理23-24
- 2.2.2 初值確定24-27
- 2.2.3 整體擬合實(shí)現(xiàn)過程27-31
- 2.2.4 RV擬合算法流程圖31
- 2.3 本章小結(jié)31-32
- 第3章 RV擬合軟件設(shè)計(jì)及應(yīng)用32-48
- 3.1 軟件設(shè)計(jì)32-38
- 3.1.1 數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)32-33
- 3.1.2 功能結(jié)構(gòu)33-38
- 3.2 應(yīng)用和討論38-46
- 3.2.1 R-V擬合結(jié)果與分析38-44
- 3.2.2 參數(shù)提取的結(jié)果與分析44-46
- 3.3 本章小結(jié)46-48
- 第4章 總結(jié)48-49
- 附錄 本文使用的物理常量及Hg_(1-x)Cd_xTe材料基本參數(shù)49-50
- 參考文獻(xiàn)50-53
- 致謝53
【相似文獻(xiàn)】
中國期刊全文數(shù)據(jù)庫 前10條
1 張樹鈞;;氧化鉛靶的暗電流[J];真空電子技術(shù);1986年03期
2 張聞文;陳錢;;基于周期反轉(zhuǎn)模式的表面暗電流抑制[J];光學(xué)學(xué)報(bào);2008年07期
3 RAYMOND A. MILANO ,鄭垣蜀;超低暗電流異質(zhì)結(jié)電荷耦合器件[J];半導(dǎo)體光電;1983年02期
4 劉鳳敏,宋珍,甘潤今;減小ITO/PTCDA/P-Si/Al型光電探測器暗電流的方法[J];北京機(jī)械工業(yè)學(xué)院學(xué)報(bào);2005年01期
5 黃松壘;張偉;黃張成;方家熊;;基于輸入失調(diào)補(bǔ)償?shù)陌惦娏饕种谱x出電路研究[J];半導(dǎo)體光電;2011年03期
6 尹憲華;;四個實(shí)驗(yàn)室獲得壓縮光[J];激光與光電子學(xué)進(jìn)展;1987年07期
7 熊經(jīng)武;朱建文;劉淑娥;;線陣CCD暗電流和靈敏度實(shí)時校正[J];光學(xué)機(jī)械;1985年06期
8 祁夭佑;低噪聲Ge—APD[J];半導(dǎo)體光電;1988年02期
9 全知覺;李志鋒;胡偉達(dá);葉振華;陸衛(wèi);;光伏型碲鎘汞長波探測器暗電流特性的參數(shù)提取研究[J];紅外與毫米波學(xué)報(bào);2007年02期
10 齊哲明;陳海清;李俊;;紅外四象限探測器暗電流自動測量技術(shù)研究[J];光學(xué)與光電技術(shù);2006年01期
中國重要會議論文全文數(shù)據(jù)庫 前5條
1 黃松壘;張偉;黃張成;方家熊;;基于輸入失調(diào)補(bǔ)償?shù)陌惦娏饕种谱x出電路研究[A];中國光學(xué)學(xué)會2010年光學(xué)大會論文集[C];2010年
2 王晨晟;趙治亞;張智杰;洪普;;InAs/GaAs量子點(diǎn)紅外探測器暗電流模型研究[A];中國光學(xué)學(xué)會2010年光學(xué)大會論文集[C];2010年
3 趙永林;李獻(xiàn)杰;蔡道民;周洲;郭亞娜;韓麗麗;;AlGaAs/GaAs多量子阱紅外探測器暗電流特性[A];2006年全國光電技術(shù)學(xué)術(shù)交流會會議文集(E 光電子器件技術(shù)專題)[C];2006年
4 段友峰;張化朋;米鳳文;;一種改善CCD信噪比的方法[A];光電技術(shù)與系統(tǒng)文選——中國光學(xué)學(xué)會光電技術(shù)專業(yè)委員會成立二十周年暨第十一屆全國光電技術(shù)與系統(tǒng)學(xué)術(shù)會議論文集[C];2005年
5 陳凱;何振江;陳智瑜;;CPM微光探測特性研究[A];中國光學(xué)學(xué)會2006年學(xué)術(shù)大會論文摘要集[C];2006年
中國博士學(xué)位論文全文數(shù)據(jù)庫 前1條
1 曾巧玉;InGaAs/InP單光子雪崩光電二級管的制備及研究[D];中國科學(xué)院研究生院(上海技術(shù)物理研究所);2014年
中國碩士學(xué)位論文全文數(shù)據(jù)庫 前7條
1 姚德新;基于針—針電極場致電離暗電流的濕度測量[D];南京信息工程大學(xué);2015年
2 劉佰清;延展波長In_xGa_(1-x)As/InP PIN紅外探測器的暗電流機(jī)制研究[D];南京大學(xué);2014年
3 閆欣;大面積InGaAs-MSM光電探測器研制及其暗電流特性分析[D];中國科學(xué)院研究生院(西安光學(xué)精密機(jī)械研究所);2015年
4 李慶法;InGaAs探測器的光電性能仿真與結(jié)構(gòu)優(yōu)化研究[D];中國科學(xué)院研究生院(上海技術(shù)物理研究所);2016年
5 趙榆松;碲鎘汞紅外探測器暗電流特性的參數(shù)提取研究[D];云南大學(xué);2016年
6 王志偉;降低硅基微元陣APD暗電流結(jié)構(gòu)優(yōu)化的研究[D];哈爾濱工業(yè)大學(xué);2014年
7 林永濤;PSD綜合性能檢測系統(tǒng)的研制[D];浙江大學(xué);2012年
,本文編號:1042919
本文鏈接:http://sikaile.net/kejilunwen/dianzigongchenglunwen/1042919.html